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1. (WO2014092041) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/092041    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/082932
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 09.12.2013
CIB :
H05B 33/10 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C23C 16/30 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01), H05B 33/04 (2006.01), H05B 33/22 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
Inventeurs : TAKAHASHI, Nobuaki; (JP).
KONISHI, Takashi; (JP)
Mandataire : KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-272084 13.12.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機エレクトロルミネッセンスデバイスの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The present invention addresses the problem of providing a method for producing an organic EL device which exhibits excellent producibility, is equipped with a gas-barrier layer from which surface particles have been removed to a high degree, and exhibits excellent dark-spot resistance and leakage-current resistance. This method for producing an organic EL device has a gas-barrier-layer formation step, a gas-barrier-layer cleaning step which uses a physical exfoliation method, and a formation step for forming an organic EL element on the gas-barrier layer. Furthermore, this method for producing an organic EL device is characterized in that: the gas-barrier layer has an element composition which continually changes in the layer-thickness direction; the carbon distribution curve and the oxygen distribution curve have extreme values; the difference between the maximum extreme value and the minimum extreme value is 5at% or more; (carbon atomic ratio)<(silicon atomic ratio)<(oxygen atomic ratio) or (oxygen atomic ratio)<(silicon atomic ratio)<(carbon atomic ratio) in a region constituting at least 90% of the entire layer thickness of the gas-barrier layer; and the difference between the maximum extreme value of the silicon atomic ratio and the minimum extreme value thereof is less than 5at% in the region constituting at least 90% of the entire layer thickness of the gas-barrier layer.
(FR)La présente invention concerne le problème de fourniture d'un procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique qui présente une excellente productibilité, qui est équipé d'une couche barrière aux gaz à partir de laquelle des particules de surface ont été retirées à un degré élevé, et présente une excellente résistance de point sombre et une excellente résistance de courant de fuite. Ce procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique possède une étape de formation de couche barrière aux gaz, une étape de nettoyage de couche barrière aux gaz qui utilise un procédé d'exfoliation physique, et une étape de formation pour former un élément électroluminescent organique sur la couche barrière aux gaz. En outre, ce procédé de fabrication d'un dispositif électroluminescent organique est caractérisé en ce que : la couche barrière aux gaz possède une composition élémentaire qui change de manière continuelle dans la direction d'épaisseur de couche ; la courbe de distribution de carbone et la courbe de distribution d'oxygène ont des valeurs extrêmes ; la différence entre la valeur extrême maximale et la valeur extrême minimale est de 5 % atomique ou plus ; (rapport atomique de carbone) < (rapport atomique de silicium) < (rapport atomique d'oxygène) ou (rapport atomique d'oxygène) < (rapport atomique de silicium) < (rapport atomique de carbone) dans une région constituant au moins 90 % de la totalité d'épaisseur de couche de la couche barrière aux gaz ; et la différence entre la valeur extrême maximale du rapport atomique de silicium et la valeur extrême minimale de celui-ci est inférieure à 5 % atomique dans la région constituant au moins 90 % de la totalité d'épaisseur de couche de la couche barrière aux gaz.
(JA) 本発明の課題は、生産性に優れ、表面のパーティクルが高度に除去されたガスバリアー層を具備し、ダークスポット耐性及びリーク電流耐性に優れた有機ELデバイスの製造方法を提供ことである。 本発明の有機ELデバイスの製造方法は、ガスバリアー層形成工程、物理的剥離方法によるガスバリアー層洗浄工程、ガスバリアー層上への有機EL素子の形成工程を有し、ガスバリアー層は層厚方向で元素組成が連続的に変化し、炭素分布曲線及び酸素分布曲線が極値を有し、最大の極値と最小の極値との差が5at%以上であり、ガスバリアー層の全層厚の90%以上の領域で、(炭素原子比率)<(ケイ素原子比率)<(酸素原子比率)又は(酸素原子比率)<(ケイ素原子比率)<(炭素原子比率)であり、ガスバリアー層の全層厚の90%以上の領域で、ケイ素原子比率の最大の極値と最小の極値の差が5at%未満であることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)