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1. (WO2014091868) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091868    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080876
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 15.11.2013
CIB :
H05B 33/10 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01), H05B 33/02 (2006.01)
Déposants : KONICA MINOLTA, INC. [JP/JP]; 2-7-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1007015 (JP)
Inventeurs : ARAI, Kenji; (JP)
Mandataire : KOYO INTERNATIONAL PATENT FIRM; 17F., Tokyo Takarazuka Bldg., 1-1-3, Yurakucho, Chiyoda-ku, Tokyo 1000006 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-269976 11.12.2012 JP
Titre (EN) METHOD OF PRODUCING ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT ORGANIQUE
(JA) 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)The purpose of the present invention is to provide a method of producing an organic EL element that has excellent cost-effectiveness, dark spot resistance, luminous efficiency (emission brightness) and light emission life. This method of producing an organic electroluminescence element is characterized in having a gas barrier layer and an organic layer unit, wherein the gas barrier layer contains carbon, silicon and oxygen, the composition changes continuously in the layer thickness direction, the carbon distribution curve has extreme values, the difference between the maximum and minimum extreme values of the carbon atom ratio is 5at% or greater and silicon is the second highest component amount in a region making up 90% or more of the total thickness; when forming the organic layers, after forming the organic layer that contains the solvent with the highest boiling point, in the interval until the negative electrode is formed, either heat treatment is performed collectively at no lower than 10°C less than the boiling point of the solvent with the highest boiling point used in formation of the organic layers and at no higher than 20°C more than the glass transition temperature of the film substrate, or, for the formation of each organic layer, heat treatment is performed sequentially at no lower than 10°C less than the boiling point of the solvent of the organic layer and no higher than 20°C more than the glass transition temperature of the film material.
(FR)L'invention a pour objectif de fournir un procédé de fabrication d'élément électroluminescent organique qui se révèle excellent en termes d'efficacité économique, de résistance aux taches d'ombre, d'efficacité de luminescence (luminescence et luminance) et de durabilité de luminescence. Le procédé de l'invention est caractéristique en ce qu'il présente une couche de barrière aux gaz et une unité de couche organique. La couche de barrière aux gaz comprend un carbone, un silicium et un oxygène. Une structure dans la direction de l'épaisseur de la couche, varie en continu. Une courbe de distribution de carbone présente des valeurs extrêmes. La différence entre les valeurs extrêmes maximales et minimales du rapport atomique de carbone, est supérieure ou égale à 5%at. Le silicium dans une région d'épaisseur totale de couche, présente une teneur de deuxième niveau. Lors de la formation d'une couche organique, après formation de cette couche organique qui contient un solvant possédant le point d'ébullition le plus élevé, le temps qu'une cathode soit formée, soit un traitement de chauffage par lots est effectué à une température supérieure ou égale à -10°C du point d'ébullition du solvant le plus faible mis en œuvre lors de la formation de la couche organique, et inférieure ou égale à +20°C de la température de transition vitreuse d'un matériau de base de film, soit un traitement de chauffage successif est effectué pour la formation de chaque couche organique à une température supérieure ou égale à -10°C du point d'ébullition du solvant de la couche organique, et inférieure ou égale à +20°C de la température de transition vitreuse du matériau de base de film.
(JA) 本発明の課題は、経済性、ダークスポット耐性、発光効率(発光輝度)及び発光寿命に優れた有機EL素子の製造方法を提供することである。 本発明の有機EL素子の製造方法は、ガスバリアー層と有機層ユニットを有し、ガスバリアー層は炭素、ケイ素及び酸素を含有し、層厚方向で組成が連続的に変化し、炭素分布曲線が極値を有し、炭素原子比率の最大と最小の極値の差が5at%以上、全層厚の90%以上の領域でケイ素が二番目の含有量で、有機層の形成の際に、最も高い沸点を有する溶媒を含む有機層を形成した後、陰極を形成するまでの間で、有機層の形成に用いる最も沸点の高い溶媒の沸点-10℃以上、フィルム基材のガラス転移温度+20℃以下で一括加熱処理すること、又は各有機層を形成するごとに、有機層の溶媒の沸点-10℃以上、フィルム基材のガラス転移温度+20℃以下で、逐次加熱処理することを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)