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1. (WO2014091836) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091836    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/079844
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 05.11.2013
CIB :
H01L 25/065 (2006.01), H01L 21/60 (2006.01), H01L 25/07 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : OLYMPUS CORPORATION [JP/JP]; 43-2, Hatagaya 2-chome, Shibuya-ku, Tokyo 1510072 (JP)
Inventeurs : SAITO Haruhisa; (JP)
Mandataire : TANAI Sumio; 1-9-2, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo 1006620 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-273661 14.12.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, DISPOSITIF D'IMAGERIE, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置、撮像装置および半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)This semiconductor device manufacturing method involves a wafer laminate forming step for forming a wafer laminate comprising multiple laminated wafers that comprise a circuit and an electrode electrically connected to the circuit, and a dicing step for dicing the wafer laminate. The wafer laminate forming step involves: a first wafer forming step in which a first wafer is formed by forming a resin film covering the multiple circuits and heated at a temperature higher than the glass transition point of the resin film, forming a first hole which extends from the surface of the resin film to the wiring of the circuit, and providing in the first hole an electrode electrically connected to the wiring; and a second wafer forming step in which a second wafer is formed by forming a resin film covering the multiple circuits and heated at a temperature lower than the glass transition point of the resin film, forming a second hole which extends from the surface of the resin film to the wiring of the circuit, and providing in the second hole an electrode electrically connected to the wiring.
(FR)Ce procédé de fabrication de dispositif semi-conducteur comporte, d'une part une première opération de formation d'une strate de plaquettes comprenant plusieurs plaquettes stratifiées comprenant elles-mêmes un circuit et une électrode électriquement connectée au circuit, et d'autre part une opération de découpage de la strate de plaquette en puces élémentaires. L'opération de formation de la strate de plaquettes se décompose elle-même en deux étapes, la première pour la formation d'une première plaquette, et la seconde pour la formation d'une seconde plaquette. La première étape consiste, d'abord à former un film de résine couvrant les différents circuits, avec un chauffage à une température supérieure à la température de transition vitreuse du film de résine, ensuite à réaliser un premier trou qui part de la surface du film de résine et qui aboutit au tracé métallisé du circuit, et enfin à réaliser dans le premier trou une électrode électriquement connectée au tracé métallisé. La seconde étape consiste, d'abord à former un film de résine couvrant les différents circuits, avec un chauffage à une température inférieure à la température de transition vitreuse du film de résine, ensuite à réaliser un second trou qui part de la surface du film de résine et qui aboutit au tracé métallisé du circuit, et enfin à réaliser dans le second trou une électrode électriquement connectée au tracé métallisé.
(JA) 半導体装置の製造方法は、回路と、前記回路に電気的に接続された電極とを有する複数のウェハが積層されたウェハ積層体を形成するウェハ積層体形成工程と、前記ウェハ積層体をダイシングするダイシング工程とを有する。前記ウェハ積層体形成工程は、前記複数の回路を被覆する自身のガラス転移点よりも高い温度で加熱した樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の表面から前記回路の配線に達する第1の穴部を形成し、前記第1の穴部に前記配線に電気的に接続された前記電極を設けることで第1のウェハを形成する第1のウェハ形成工程と、前記複数の回路を被覆する自身のガラス転移点よりも低い温度で加熱した樹脂膜を形成し、前記樹脂膜の表面から前記回路の配線に達する第2の穴部を形成し、前記第2の穴部に前記配線に電気的に接続された前記電極を設けることで第2のウェハを形成する第2のウェハ形成工程を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)