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1. (WO2014091744) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091744    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/007254
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2013
CIB :
H01G 9/028 (2006.01)
Déposants : PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD. [JP/JP]; 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Inventeurs : NOINE, Keiji; .
HARADA, Gaku; .
OGAWA, Miwa;
Mandataire : FUJII, Kentaro; c/o Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd., 1-61, Shiromi 2-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5406207 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-271902 13.12.2012 JP
2012-271903 13.12.2012 JP
Titre (EN) SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR
(FR) CONDENSATEUR ÉLECTROLYTIQUE SOLIDE
(JA) 固体電解コンデンサ
Abrégé : front page image
(EN)This solid electrolytic capacitor (10) is provided with: a positive electrode (1); a dielectric layer (2) formed at the surface of the positive electrode (1); an intermediate layer (3) formed at the surface of the dielectric layer (2); and a solid electrolyte layer (4) formed at the surface of the intermediate layer (3). The intermediate layer (3) contains an amorphous insulating polymer and an n-type organic semiconductor having a lowest unoccupied molecular orbital lower than the work function of the solid electrolyte layer (4). Also, in place of the intermediate layer (3), an intermediate layer (30) is provided containing an amorphous charge transfer complex.
(FR)Ce condensateur électrolytique solide (10) comprend : une électrode positive (1); une couche de diélectrique (2) formée au niveau de la surface de l'électrode positive (1); une couche intermédiaire (3) formée au niveau de la surface de la couche de diélectrique (2); et une couche électrolytique solide (4) formée au niveau de la surface de la couche intermédiaire (3). La couche intermédiaire (3) renferme un polymère isolant amorphe et un semi-conducteur organique de type n ayant une plus basse orbitale moléculaire inoccupée que la fonction de travail de la couche électrolytique solide (4). En outre, à la place de la couche intermédiaire (3), une couche intermédiaire (30) renferme un complexe de transfert de charge amorphe.
(JA) 陽極(1)と、この陽極(1)の表面に形成される誘電体層(2)と、この誘電体層(2)の表面に形成される中間層(3)と、この中間層(3)の表面に形成される固体電解質層(4)とを備えた固体電解コンデンサ(10)に関する。前記中間層(3)は、前記固体電解質層(4)の仕事関数よりも小さい最低空軌道を有するn型有機半導体と、非晶性の絶縁性高分子とを含有している。 また、前記中間層(3)に代えて、非晶質の電荷移動錯体を含有している中間層(30)を備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)