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1. (WO2014091740) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR CMIS COMPRENANT CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091740    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/007229
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 09.12.2013
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/8238 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/092 (2006.01), H01L 51/05 (2006.01), H01L 51/30 (2006.01)
Déposants : TOHOKU UNIVERSITY [JP/JP]; 1-1, Katahira 2-chome, Aoba-ku, Sendai-shi, Miyagi 9808577 (JP) (AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BE, BF, BG, BH, BJ, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CF, CG, CH, CI, CL, CM, CN, CO, CR, CU, CY, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, FR, GA, GB, GD, GE, GH, GM, GN, GQ, GR, GT, GW, HN, HR, HU, ID, IE, IL, IN, IR, IS, IT, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LV, LY, MA, MC, MD, ME, MG, MK, ML, MN, MR, MT, MW, MX, MY, MZ, NA, NE, NG, NI, NL, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SI, SK, SL, SM, SN, ST, SV, SY, SZ, TD, TG, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW only).
OHMI, Tadahiro [JP/JP]; (JP) (US only).
OHMI, Shun-ichiro [JP/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : OHMI, Tadahiro; (JP).
OHMI, Shun-ichiro; (JP)
Mandataire : OHTSUKA, Yasunori; 7th Fl., Kioicho Park Bldg., 3-6, Kioicho, Chiyoda-ku, Tokyo 1020094 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-271769 12.12.2012 JP
Titre (EN) ORGANIC SEMICONDUCTOR ELEMENT AND CMIS SEMICONDUCTOR DEVICE PROVIDED WITH SAME
(FR) ÉLÉMENT SEMI-CONDUCTEUR ORGANIQUE ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR CMIS COMPRENANT CELUI-CI
(JA) 有機半導体素子及びそれを備えたCMIS半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)This organic semiconductor element has: a source electrode section (105); a drain electrode section (106); an active layer region (104) of an organic semiconductor; a gate insulating film (103); a gate electrode section (102); and a layer region (107) that contacts the active layer region and that contains lanthanum boride at the gate insulating film side.
(FR)L'invention concerne un élément semi-conducteur organique qui possède : une section d'électrode de source (105) ; une section d'électrode de drain (106) ; une région de couche active (104) d'un semi-conducteur organique ; un film isolant de grille (103) ; une section d'électrode de grille (102) ; et une région de couche (107) qui vient en contact avec la région de couche active et qui contient du borure de lanthane sur le côté film isolant de grille.
(JA)有機半導体素子は、ソース電極部105と、ドレイン電極部106と、有機半導体の活性層領域104と、ゲート絶縁膜103と、ゲート電極部102と、前記活性層領域に接して前記ゲート絶縁膜側に硼化ランタンを含む層領域107とを有している。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)