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1. (WO2014091648) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT DE CONDENSATEUR À ÉLECTROLYTE SOLIDE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091648    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/005649
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 24.09.2013
CIB :
H01G 9/028 (2006.01), H01G 9/00 (2006.01), H01G 9/052 (2006.01)
Déposants : SHOWA DENKO K.K. [JP/JP]; 13-9, Shibadaimon 1-chome, Minato-ku, Tokyo 1058518 (JP)
Inventeurs : NAITO, Kazumi; (JP).
YABE, Shoji; (JP)
Mandataire : KIKUMA, Tadayuki; KIKUMA & KAWAKITA, FREUND MITA 712, 14-5, Mita 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1080073 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-270033 11.12.2012 JP
Titre (EN) PRODUCTION METHOD FOR SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR ELEMENT
(FR) PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'ÉLÉMENT DE CONDENSATEUR À ÉLECTROLYTE SOLIDE
(JA) 固体電解コンデンサ素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A solid electrolytic capacitor element is obtained using a method which includes: a step in which a surface of a positive electrode body comprising a valve action metal such as tungsten is subjected to electrolytic oxidation and chemically converted into a dielectric layer; a step in which electrolytic polymerization is used to form, upon the dielectric layer, a semiconductor layer comprising a conductive polymer; a step in which an electrode layer is formed upon the semiconductor layer; and a step in which an oxidant having an oxygen release function such as potassium persulfate and ammonium persulfate is supplied to the semiconductor layer or the dielectric layer.
(FR)La présente invention concerne un élément de condensateur à électrolyte solide qui est obtenu au moyen d'un procédé comprenant les étapes suivantes : une étape dans laquelle une surface d'un corps d'électrode positive comprenant un métal à effet de soupape, tel que le tungstène, est soumise à une oxydation électrolytique et est convertie chimiquement en une couche diélectrique ; une étape dans laquelle une polymérisation électrolytique est utilisée en vue de former, sur la couche diélectrique, une couche semi-conductrice comprenant un polymère conducteur ; une étape dans laquelle une couche d'électrode est formée sur la couche semi-conductrice ; et une étape dans laquelle un oxydant ayant une fonction de libération d'oxygène, tel que le persulfate de potassium et le persulfate d'ammonium, est fourni à la couche semi-conductrice ou à la couche diélectrique.
(JA)タングステンなどの弁作用金属からなる陽極体の表面を電解酸化して誘電体層に化成する工程と、 該誘電体層の上に電解重合によって導電性高分子からなる半導体層を形成する工程と、 該半導体層の上に電極層を形成する工程と、 過硫酸カリウムや過硫酸アンモニウムなどの酸素放出機能を有する酸化剤を半導体層または誘電体層に供給する工程を含む方法によって固体電解コンデンサ素子を得る。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)