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1. (WO2014091545) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091545    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/081980
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2012
CIB :
H01L 27/04 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (Tous Sauf US).
OSAGA, Tsuyoshi [--/JP]; (JP) (US only).
HARUGUCHI, Hideki [--/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : OSAGA, Tsuyoshi; (JP).
HARUGUCHI, Hideki; (JP)
Mandataire : TAKADA, Mamoru; Takada, Takahashi & Partners, 5th Floor, Intec 88 Bldg., 20, Araki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600007 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 半導体装置及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A transistor (18) which has an electrode (3) connected to a semiconductor substrate (1) is provided on the semiconductor substrate (1). A temperature sensing diode (4) which monitors the temperature of the semiconductor substrate (1) is provided on the semiconductor substrate (1). A temperature sensing pad (5) electrically connected to the temperature sensing diode (4) is provided on the semiconductor substrate (1) with an insulating film (20) interposed therebetween. Multiple trenches (21) are provided in the semiconductor substrate (1) below the temperature sensing pad (5).
(FR)L'invention concerne un transistor (18) qui possède une électrode (3) connectée à un substrat de semi-conducteur (1) et qui est situé sur le substrat de semi-conducteur (1). Une diode de détection de température (4) qui surveille la température du substrat de semi-conducteur (1) est située sur le substrat de semi-conducteur (1). Une plage d'accueil de détection de température (5) connectée électriquement à la diode de détection de température (4) est située sur le substrat de semi-conducteur (1) avec un film isolant (20) interposé entre ceux-ci. De multiples tranchées (21) sont ménagées dans le substrat de semi-conducteur (1) au-dessous de la plage d'accueil de détection de température (5).
(JA) 半導体基板(1)に接続された電極(3)を有するトランジスタ(18)が半導体基板(1)に設けられている。半導体基板(1)の温度をモニターする温度センスダイオード(4)が半導体基板(1)に設けられている。温度センスダイオード(4)に電気的に接続された温度センスパッド(5)が半導体基板(1)上に絶縁膜(20)を介して設けられている。温度センスパッド(5)の下において半導体基板(1)に複数のトレンチ(21)が設けられている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)