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1. (WO2014091517) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091517    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/007881
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2012
CIB :
H01L 21/52 (2006.01), H05K 3/32 (2006.01)
Déposants : NISSIN INC. [JP/JP]; 10-7, Kameicho, Takarazuka-shi, Hyogo 6650047 (JP)
Inventeurs : KODANI, Kazuya; (JP).
JO, Maki; (JP)
Mandataire : SUGITANI, Tsutomu; Nishitenma No.11 Matsuya Bldg., 10-8, Nishitenma 1-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) JOINING METHOD
(FR) PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE
(JA) 接合方法
Abrégé : front page image
(EN)According to this joining method, in the heat treatment procedure of step (S3), a semiconductor chip and a frame, between which is interposed a conductive paste comprising microparticles of gold, silver, copper, or oxides thereof, are accommodated inside a chamber, and a heat treatment is performed on the semiconductor chip and frame. Separate from this heat treatment procedure, in the vacuum treatment procedure of step (S4), the semiconductor chip and frame are treated using a vacuum inside the chamber in which are accommodated the semiconductor chip and frame. In the plasma treatment procedure of step (S6), a plasma treatment is performed on the semiconductor chip and frame after the vacuum treatment procedure. By combining the vacuum treatment procedure and the plasma treatment procedure, joining capability is improved whether using pressureless joining or deadweight pressure joining. Also, by combining the heat treatment procedure, the vacuum treatment procedure, and the plasma treatment procedure, the heating time and sintering time can be shortened, and the treatment efficiency is improved.
(FR)L'invention concerne un procédé d'assemblage selon lequel, dans la procédure de traitement thermique de l'étape (S3), une puce semi-conductrice et un cadre, entre lesquels est interposée une pâte conductrice comprenant des microparticules d'or, d'argent, de cuivre et d'oxydes de ceux-ci, sont installés dans une chambre, et un traitement thermique est effectué sur la puce semi-conductrice et le cadre. À part cette procédure de traitement thermique, dans la procédure de traitement sous vide de l'étape (S4), la puce semi-conductrice et le cadre sont traités au moyen d'un vide dans la chambre dans laquelle sont installés la puce semi-conductrice et le cadre. Dans la procédure de traitement par plasma de l'étape (S6), un traitement par plasma est effectué sur la puce semi-conductrice et le cadre après la procédure de traitement sous vide. En combinant la procédure de traitement sous vide et la procédure de traitement par plasma, la fonction d'assemblage est améliorée que soit au moyen d'un assemblage sans pression ou d'un assemblage par pression à poids mort. En outre, en combinant la procédure de traitement thermique, la procédure de traitement sous vide et la procédure de traitement par plasma, le temps de chauffage et le temps de frittage peuvent être réduits, et l'efficacité du traitement est améliorée.
(JA) 本発明の接合方法では、ステップS3での加熱処理過程は、金,銀,銅またはその酸化物の微粒子からなる導電性ペーストを介在させた半導体チップおよびフレームをチャンバーの内部に収容して、半導体チップおよびフレームに対して加熱処理を行う。この加熱処理過程とは別に、ステップS4での真空処理過程は、半導体チップおよびフレームを収容した状態でチャンバーの内部を真空で半導体チップおよびフレームを処理し、ステップS6でのプラズマ処理過程は、真空処理過程の後で半導体チップおよびフレームに対してプラズマ処理を行う。この真空処理過程およびプラズマ処理過程を組み合わせることで、無加圧接合あるいは自重加圧接合でも接合能力が高くなる。また、加熱処理過程、真空処理過程およびプラズマ処理過程を組み合わせることで、加熱時間、さらには焼結時間を短縮化させることができ、処理効率が向上するという効果をも奏する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)