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1. (WO2014091285) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091285    N° de la demande internationale :    PCT/IB2013/002692
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 02.12.2013
CIB :
H01L 21/762 (2006.01)
Déposants : SOITEC [FR/FR]; Chemin des Franques Parc Technologique des Fontaines, Bernin F-38926 Crolles Cedex (FR)
Inventeurs : CHIBKO, Alexandre; (FR).
BERTRAND, Isabelle; (FR).
PERU, Sylvain; (FR).
VAN, Sothachett; (FR).
REYNAUD, Patrick; (FR)
Données relatives à la priorité :
12/03428 14.12.2012 FR
Titre (EN) METHOD FOR FABRICATING A STRUCTURE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE
Abrégé : front page image
(EN)This method for fabricating a structure (3) comprising, in succession, a support substrate (2), a dielectric layer (10), an active layer (11), a separator layer (20) of polycrystalline silicon, comprises the steps of: a) providing a donor substrate, b) forming an embrittlement area in the donor substrate, c) providing the support structure (2), d) forming the separator layer (20) on the support substrate (2), e) forming the dielectric layer (10), f) assembling the donor substrate (1) and the support substrate (2),. g) fracturing the donor substrate (1) along the embrittlement area, h) subjecting the structure (3) to a strengthening annealing of at least 10 minutes, the fabrication method being noteworthy in that the step d) is executed in such a way that the polycrystalline silicon of the separator layer (20) exhibits an entirely random grain orientation, and in that the strengthening annealing is executed at a temperature strictly greater than 950 °C and less than 1200 °C.
(FR)La présente invention concerne un procédé de fabrication d'une structure (3), qui comprend, à la suite, un substrat (2) support, une couche diélectrique (10), une couche active (11) et une couche séparateur (20) de silicium polycristallin. Le procédé comprend les étapes suivantes : a) la fourniture d'un substrat donneur, b) la formation d'une zone de fragilisation dans le substrat donneur, c) la fourniture de la structure (2) support, d) la formation de la couche séparateur (20) sur le substrat (2) support, e) la formation de la couche diélectrique (10), f) l'assemblage du substrat donneur (1) et du substrat support (2), g) la fracturation du substrat donneur (1) le long de la zone de fragilisation, h) la soumission de la structure (3) à un recuit de renfort d'au moins 10 minutes, le procédé de fabrication étant remarquable en ce que l'étape d) est exécutée de manière à ce que le silicium polycristallin de la couche séparateur (20) montre une orientation de grains totalement aléatoire et en ce que le recuit de renfort est exécuté à une température strictement supérieure à 950 °C et inférieure à 1 200 °C.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)