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1. (WO2014091137) SUPPORT CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF OLED, AINSI QUE DISPOSITIF OLED L'INCORPORANT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/091137    N° de la demande internationale :    PCT/FR2013/053009
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2013
CIB :
H01L 51/52 (2006.01), C03C 17/36 (2006.01)
Déposants : SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE [FR/FR]; 18 Avenue d'Alsace F-92400 Courbevoie (FR)
Inventeurs : GUIMARD, Denis; (FR)
Mandataire : SAINT-GOBAIN RECHERCHE; Département Propriété Industrielle 39 Quai Lucien Lefranc F-93300 Aubervilliers (FR)
Données relatives à la priorité :
1262010 13.12.2012 FR
Titre (EN) CONDUCTIVE SUBSTRATE FOR OLED DEVICE, AS WELL AS OLED DEVICE INCORPORATING SAME
(FR) SUPPORT CONDUCTEUR POUR DISPOSITIF OLED, AINSI QUE DISPOSITIF OLED L'INCORPORANT
Abrégé : front page image
(EN)The invention pertains to a conductive substrate (1) for OLEDs, comprising: a dielectric sublayer of optical thickness L1 greater than 20 nm comprising a first crystalline contact layer made from zinc oxide, preferably doped, a first layer of silver, of thickness less than 20 nm, a dielectric separating layer of a given optical thickness L2 greater than 80 nm and less than 280 nm, comprising in this order: a crystalline layer made from zinc oxide, of thickness e2, an amorphous layer, called the intermediate layer, made from tin oxide and zinc oxide of thickness ei less than 15 nm, a second coat of zinc oxide of thickness ec2, and the sum of the thicknesses ec2+e2 is at least 30 nm, a second layer of silver of thickness less than 20 nm, an electrically conductive outer layer.
(FR)L'invention se rapporte à un support conducteur (1) pour OLED, comportant: une sous-couche, diélectrique d'épaisseur optique L1 supérieure à 20nm comportant une première couche cristalline de contact à base d'oxyde de zinc, de préférence dopé, une première couche d'argent, d'épaisseur inférieure à 20nm, une couche séparatrice, diélectrique, d'épaisseur optique L2 donnée supérieure à 80nm et inférieure à 280nm, comportant dans cet ordre: une couche cristalline à base d'oxyde de zinc, d'épaisseur e2 une couche amorphe, dite couche intermédiaire, à base d'oxyde d'étain et de zinc d'épaisseur ei inférieure à 15nm, une deuxième couche d'oxyde de zinc,d'épaisseur ec2 et la somme des épaisseurs ec2+e2 est d'au moins 30nm, une deuxième couche d'argent,d'épaisseur inférieure à 20nm, une surcouche électroconductrice.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : français (FR)
Langue de dépôt : français (FR)