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1. (WO2014090677) DISPOSITIF À HAUTE TENSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À HAUTE TENSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/090677    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/075649
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 05.12.2013
CIB :
H01B 17/28 (2006.01)
Déposants : ABB TECHNOLOGY LTD [CH/CH]; Affolternstrasse 44 CH-8050 Zürich (CH)
Inventeurs : HEDLUND, Roger; (SE).
SJÖBERG, Peter; (SE).
FALEKE, Håkan; (SE).
LAVESSON, Nils; (SE).
MARTINI, Harald; (SE).
SCHIESSLING, Joachim; (SE)
Mandataire : SAVELA, Reino; ABB AB Intellectual Property Ingenjör Bååths Gata 11 S-721 83 Västerås (SE)
Données relatives à la priorité :
12196868.9 13.12.2012 EP
Titre (EN) HIGH VOLTAGE DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING A HIGH VOLTAGE DEVICE
(FR) DISPOSITIF À HAUTE TENSION ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À HAUTE TENSION
Abrégé : front page image
(EN)The method relates to an electric device comprising at least two electrodes which are separated by dielectric part. At least one of said electrodes is arranged to be at a floating potential. The dielectric part comprises at least one turn of at least one non-impregnatable electrically insulating film between two neighbouring electrodes. The electrodes are bonded to adjacent turns of non-impregnatable insulating film, and adjacent turns of non- impregnatable insulating film, if any, are bonded to each other, so that the turns of non- impregnatable insulating film and the electrodes form a solid body. The invention further relates to a method of manufacturing an electric device, where bonding of at least one turn is performed upon forming of said turn, so that the bonding of said turn to the turn/electrode underneath will commence before said turn has been completely covered by the next turn.
(FR)L'invention concerne un dispositif électrique comportant au moins deux électrodes séparées par une partie diélectrique. Il est fait en sorte qu'au moins une desdites électrodes se trouve un potentiel flottant. La partie diélectrique comporte au moins un tour d'au moins un film électriquement isolant non imprégnable entre deux électrodes voisines. Les électrodes sont collées à des tours adjacents de film isolant non imprégnable, et les éventuels tours adjacents de film isolant non imprégnable sont collés les uns aux autres de telle façon que les tours de film isolant non imprégnable et les électrodes forment un corps plein. L'invention concerne en outre un procédé de fabrication d'un dispositif électrique caractérisé en ce que le collage d'au moins un tour est effectué suite à la formation dudit tour, de telle sorte que le collage dudit tour/de l'électrode située dessous commence avant que ledit tour soit complètement recouvert par le tour suivant.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)