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1. (WO2014090664) PROCÉDÉ PERMETTANT DE RÉALISER DES COUCHES DE DIAMANT PAR UN DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/090664    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/075576
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
C23C 16/27 (2006.01), C30B 25/10 (2006.01), C30B 29/04 (2006.01)
Déposants : ELEMENT SIX TECHNOLOGIES LIMITED [GB/GB]; Global Innovation Centre Fermi Avenue Harwell Oxford Didcot Oxfordshire OX11 0QR (GB)
Inventeurs : PICKLES, Charles Simon James; (GB).
WORT, Christopher; (GB).
BRANDON, John; (GB).
PERKINS, Neil; (GB)
Mandataire : ATKINSON, Ian Anthony; Element Six Limited Group Intellectual Property Fermi Avenue Harwell Campus Didcot Oxfordshire OX11 0QR (GB)
Données relatives à la priorité :
1222395.4 12.12.2012 GB
61/736,423 12.12.2012 US
Titre (EN) METHOD FOR MAKING DIAMOND LAYERS BY CVD
(FR) PROCÉDÉ PERMETTANT DE RÉALISER DES COUCHES DE DIAMANT PAR UN DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR
Abrégé : front page image
(EN)A method of coating a non-refractory and/or non-planar substrate (8) with synthetic diamond material using a microwave plasma chemical vapour deposition (CVD) synthesis technique, the method comprising: • forming a composite substrate assembly (1) comprising: • a support substrate (2) comprising an upper surface; • one or more electrically conductive refractory guards (6) disposed over the upper surface of the support substrate and extending to a height hg above the upper surface of the support substrate; and one or more non-refractory and/or non-planar substrates disposed over the upper surface of the support substrate and extending to a height hs above the upper surface of the support substrate, wherein the height hs is less than the height hg, wherein a difference in height hg - hs lies in a range 0.2 mm to 10 mm; • placing the composite substrate assembly within a plasma chamber of a microwave plasma CVD reactor; • feeding process gases into the plasma chamber including a carbon containing gas and a hydrogen containing gas; • feeding microwaves in the plasma chamber to form a microwave plasma at a location over the composite substrate assembly; and • growing synthetic diamond material on the one or more non-refractory and/or non-planar substrates.
(FR)La présente invention se rapporte à un procédé permettant de recouvrir un substrat non réfractaire et/ou non planaire (8) avec un matériau en diamant synthétique à l'aide d'une technique de synthèse par dépôt chimique en phase vapeur (CVD pour Chemical Vapour Deposition) assisté par plasma à micro-ondes, le procédé consistant à : former un ensemble substrat composite (1) comprenant : un substrat de support (2) qui comprend une surface supérieure; un ou plusieurs dispositifs de protection réfractaires électroconducteurs (6) disposés sur la surface supérieure du substrat de support et s'étendant jusqu'à une certaine hauteur (hg) au-dessus de la surface supérieure du substrat de support; et un ou plusieurs substrats non réfractaires et/ou non planaires disposés sur la surface supérieure du substrat de support et s'étendant jusqu'à une certaine hauteur (hs) au-dessus de la surface supérieure du substrat de support, la hauteur (hs) étant inférieure à la hauteur (Hg), la différence de hauteur (hg - hs) se situant dans la plage allant de 0,2 mm à 10 mm; placer l'ensemble substrat composite dans une chambre à plasma d'un réacteur de dépôt CVD assisté par plasma à micro-ondes; injecter dans la chambre à plasma des gaz de traitement comportant un gaz contenant du carbone et un gaz contenant de l'hydrogène; injecter des micro-ondes dans la chambre à plasma afin de former un plasma à micro-ondes à un emplacement situé au-dessus de l'ensemble substrat composite; et faire croître un matériau en diamant synthétique sur le ou les substrats non réfractaires et/ou non planaires.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)