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1. (WO2014090003) RÉSONATEUR DIÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE POUR CELUI-CI, ET FILTRE DIÉLECTRIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/090003    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/083674
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 17.09.2013
CIB :
H01P 7/10 (2006.01)
Déposants : ZTE CORPORATION [CN/CN]; ZTE Plaza, Keji Road South, Hi-Tech Industrial Park, Nanshan Shenzhen, Guangdong 518057 (CN)
Inventeurs : KANG, Yulong; (CN).
DAI, Xiaowen; (CN)
Mandataire : AFD CHINA INTELLECTUAL PROPERTY LAW OFFICE; Suite B 1601A, 8 Xue Qing Rd., Haidian Beijing 100192 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210531727.3 11.12.2012 CN
Titre (EN) DIELECTRIC RESONATOR, ASSEMBLY METHOD THEREFOR, AND DIELECTRIC FILTER
(FR) RÉSONATEUR DIÉLECTRIQUE, PROCÉDÉ D'ASSEMBLAGE POUR CELUI-CI, ET FILTRE DIÉLECTRIQUE
(ZH) 一种介质谐振器及其装配方法及介质滤波器
Abrégé : front page image
(EN)A dielectric resonator, an assembly method therefor, and a dielectric filter manufactured using the dielectric resonator. The dielectric resonator comprises a sealing cover, a dielectric resonant column, a metal cavity, and an electrically-conductive flexible structure body. The dielectric resonant column is arranged within the metal cavity. The sealing cover is connected to the upper surface of the dielectric resonant column. The sealing cover is arranged at the upper end face of the metal cavity and is configured to seal the metal cavity. The metal cavity is provided at the bottom part thereof with a groove. The electrically-conductive flexible structure body is arranged within the groove at the bottom part of the metal cavity and is configured to support the dielectric resonant column. The depth of the groove allows the lower surface of the dielectric resonant column to be lower than the inner surface of the metal cavity when the sealing cover seals the metal cavity. The lower end face of the dielectric resonant column is in contact with the electrically-conductive structure body.
(FR)La présente invention porte sur un résonateur diélectrique, un procédé d'assemblage pour celui-ci, et un filtre diélectrique fabriqué en utilisant le résonateur diélectrique. Le résonateur diélectrique comprend un couvercle d'étanchéité, une colonne résonante diélectrique, une cavité métallique, et un corps de structure flexible électroconducteur. La colonne résonante diélectrique est disposée à l'intérieur de la cavité métallique. Le couvercle d'étanchéité est connecté à la surface supérieure de la colonne résonante diélectrique. Le couvercle d'étanchéité est disposé au niveau de la face d'extrémité supérieure de la cavité métallique et est configuré pour sceller de manière étanche la cavité métallique. La cavité métallique comporte une rainure au niveau de la partie inférieure de celle-ci. Le corps de structure flexible électroconducteur est disposé à l'intérieur de la rainure au niveau de la partie inférieure de la cavité métallique et est configuré pour soutenir la colonne résonante diélectrique. La profondeur de la rainure permet à la surface inférieure de la colonne résonante diélectrique d'être plus basse que la surface interne de la cavité métallique lorsque le couvercle d'étanchéité scelle de manière étanche la cavité métallique. La face d'extrémité inférieure de la colonne résonante diélectrique est en contact avec le corps de structure électroconducteur.
(ZH)一种介质谐振器及其装配方法和该介质谐振器制成的介质滤波器,所述介质谐振器,包括密封盖板、介质谐振柱、金属腔体和导电弹性结构体,所述介质谐振柱位于所述金属腔体内部,其中:所述密封盖板与介质谐振柱上表面连接,所述密封盖板位于金属腔体上端面,设置为密封所述金属腔体;所述金属腔体底部有凹槽,所述导电弹性结构体位于所述金属腔体底部凹槽内,设置为支撑所述介质谐振柱,所述凹槽的深度使所述密封盖板密封所述金属腔体后介质谐振柱的下表面低于金属腔体内底面;所述介质谐振柱下端面与所述导电弹性结构体接触。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)