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1. (WO2014089783) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE DE SILICIURE MÉTALLIQUE ET UNE JONCTION DE TRÈS FAIBLE ÉPAISSEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/089783    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086456
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01)
Déposants : FUDAN UNIVERSITY [CN/CN]; No.220 Handan Road, Yangpu Area Shanghai 200433 (CN)
Inventeurs : WU, Dongping; (CN).
XU, Peng; (CN).
ZHANG, Wei; (CN).
ZHANG, Shili; (CN)
Mandataire : SHANGHAI CHENHAO INTELLECTUAL PROPERTY LAW FIRM GENERAL PARTNERSHIP; Room 202B, Building No.2 787 Zhizaoju Road, Huangpu District Shanghai 200011 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING METAL SILICIDE THIN FILM AND ULTRA SHALLOW JUNCTION, AND SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COUCHE MINCE DE SILICIURE MÉTALLIQUE ET UNE JONCTION DE TRÈS FAIBLE ÉPAISSEUR, ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(ZH) 金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a method for manufacturing a metal silicide thin film and an ultra shallow junction, and a semiconductor device. A mixture thin film is deposited on a semiconductor substrate through a physical vapor deposition (PVD) method by using a mixture of a metal and a semiconductor doped with impurities as a target material, the mixture thin film is removed by a wet process, and annealing is performed to form a metal silicide thin film and an ultra shallow junction. Because the mixture thin film is deposited by using the mixture of a metal and a semiconductor doped with impurities as the target material, and the mixture thin film is removed by the wet process before heating and annealing, so that a self-limiting ultra-thin uniform metal silicide thin film and an ultra shallow junction can be synchronously formed in a process of manufacturing a semiconductor field effect transistor. The present invention can be applied in field effect transistors with technology nodes of 14 nanometers, 11 nanometers, and below.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une couche mince de siliciure métallique et une jonction de très faible épaisseur, et un dispositif semi-conducteur. Une couche mince de mélange est déposée sur un substrat semi-conducteur grâce à un procédé de dépôt de vapeur physique (PVD) en utilisant un mélange d'un métal et d'un semi-conducteur dopé avec des impuretés comme un matériau cible, la couche mince de mélange est enlevée par un procédé par voie humide, et un processus de recuit est effectué pour former une couche mince de siliciure métallique et une jonction de très faible épaisseur. Étant donné que la couche mince de mélange est déposée en utilisant le mélange d'un métal et d'un semi-conducteur dopé avec des impuretés comme le matériau cible, et la couche mince de mélange est enlevée par le procédé par voie humide avant chauffage et processus de recuit, pour qu'une couche mince de siliciure de métal uniforme ultra-mince autolimitative et une jonction de très faible épaisseur puissent être formées de façon synchrone dans un processus de fabrication d'un transistor à effet de champ semi-conducteur. La présente invention peut être appliquée dans des transistors à effet de champ avec des nœuds de technologie de 14 nanomètres, 11 nanomètres et en dessous.
(ZH)提供了一种金属硅化物薄膜和超浅结的制作方法及半导体器件。通过采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材,物理气相沉积PVD法在半导体衬底上淀积混合物薄膜,湿法去除该混合物薄膜,并进行退火形成金属硅化物薄膜和超浅结。由于采用金属和半导体掺杂杂质的混合物做靶材淀积混合物薄膜,并在进行加热退火之前,湿法去除混合物薄膜,使得在半导体场效应晶体管制作过程中能同步形成自限制极限超薄均匀金属硅化物薄膜及超浅结,可以应用在14纳米、11纳米及以下技术节点场效应晶体管中。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)