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1. (WO2014089731) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/089731    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086257
Date de publication : 19.06.2014 Date de dépôt international : 10.12.2012
CIB :
H01L 21/321 (2006.01), H01L 21/304 (2006.01)
Déposants : ACM RESEARCH (SHANGHAI) INC. [CN/CN]; Bld. 4, No. 1690 Cailun Road, Zhangjiang High-tech Park Shanghai 201203 (CN)
Inventeurs : WANG, Jian; (CN).
JIN, Yinuo; (CN).
WANG, Hui; (CN)
Mandataire : SHANGHAI PATENT & TRADEMARK LAW OFFICE, LLC; 435 Guiping Road Shanghai 200233 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR WAFER POLISHING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE POLISSAGE DE PLAQUETTE DE SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)The present invention provides a semiconductor wafer polishing method capable of improving the polishing uniformity. The method includes the steps of: setting a pre-set X-speed for every point on the wafer; setting a pre-set rotation speed for every point on the wafer; obtaining specific actual rotation speeds for every point on the wafer to form a rotation speed table; comparing the actual rotation speed and the pre-set rotation speed of every point on the wafer to obtain a rotation ratio between the actual rotation speed and the pre-set rotation speed; calculating an actual X-speed of every point on the wafer based on the rotation ratio and the pre-set X-speed of the point; and when a specific point on the wafer is right above a nozzle ejecting charged electrolyte onto the wafer, applying a pre-set power to the wafer and the nozzle and driving the wafer to rotate at the actual rotation speed for the specific point and move at the actual X-speed for the specific point.
(FR)La présente invention a trait à un procédé de polissage de plaquette de semi-conducteur qui est en mesure d'améliorer l'uniformité de polissage. Le procédé selon la présente invention comprend les étapes consistant : à définir une vitesse X prédéfinie pour chaque point sur la plaquette ; à définir une vitesse de rotation prédéfinie pour chaque point sur la plaquette ; à obtenir des vitesses de rotation réelles spécifiques pour chaque point sur la plaquette de manière à former une table de vitesses de rotation ; à comparer la vitesse de rotation réelle et la vitesse de rotation prédéfinie de chaque point sur la plaquette de manière à obtenir un rapport de rotation entre la vitesse de rotation réelle et la vitesse de rotation prédéfinie ; à calculer une vitesse X réelle de chaque point sur la plaquette sur la base du rapport de rotation et de la vitesse X prédéfinie du point ; et lorsqu'un point spécifique sur la plaquette se trouve tout à fait au-dessus d'une buse qui éjecte un électrolyte chargé sur la plaquette, à appliquer une puissance prédéfinie sur la plaquette et la buse et à entraîner la plaquette de manière à ce qu'elle tourne à la vitesse de rotation réelle pour le point spécifique et de manière à ce qu'elle se déplace à la vitesse X réelle pour le point spécifique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)