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1. (WO2014089182) DISPOSITIF LOGIQUE MAGNÉTIQUE NON VOLATIL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/089182    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/073073
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
G11C 11/15 (2006.01)
Déposants : CARNEGIE MELLON UNIVERSITY [US/US]; 5000 Forbes Avenue Pittsburgh, Pennsylvania 15213 (US)
Inventeurs : BROMBERG, David M.; (US).
ZHU, Jian-Gang; (US).
PILEGGI, Lawrence; (US).
SOKALSKI, Vincent; (US).
MONECK, Matthew; (US)
Mandataire : LEUNG, Kim H.; Fish & Richardson P.C. P.O. Box 1022 Minneapolis, Minnesota 55440-1022 (US)
Données relatives à la priorité :
61/797,305 04.12.2012 US
61/849,223 21.01.2013 US
Titre (EN) A NONVOLATILE MAGNETIC LOGIC DEVICE
(FR) DISPOSITIF LOGIQUE MAGNÉTIQUE NON VOLATIL
Abrégé : front page image
(EN)In one aspect, a nonvolatile magnetic logic device comprises an electrically insulating layer, a write path, and a read path. The write path comprises a plurality of write path terminals and a magnetic layer having a uniform magnetization direction that is indicative of a direction of magnetization of the magnetic layer in a steady state. A logic state is written to the nonvolatile magnetic logic device by passing a current through the plurality of write path terminals. The read path comprises a plurality of read path terminals for evaluation of the logic state. The electrically insulating layer promotes electrical isolation between the read path and the write path and magnetic coupling of the read path to the write path.
(FR)Dans un aspect, l'invention concerne un dispositif logique magnétique non volatil comprenant une couche d'isolation électrique, un trajet d'écriture et un trajet de lecture. Le trajet d'écriture comprend une pluralité de bornes de trajet d'écriture et une couche magnétique présentant un sens de magnétisation uniforme indiquant que le sens de magnétisation de la couche magnétique est dans un état stable. Un état logique est inscrit sur le dispositif logique magnétique non volatil par le passage d'un courant par la pluralité de bornes de trajet d'écriture. Le trajet de lecture comprend une pluralité de bornes de trajet de lecture pour l'évaluation de l'état logique. La couche d'isolation électrique favorise l'isolation électrique entre le trajet de lecture et le trajet d'écriture, ainsi que le couplage magnétique du trajet de lecture au trajet d'écriture.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)