WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014089125) MATRICE DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE ET SCHÉMA DE FONCTIONNEMENT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/089125    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/072939
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 03.12.2013
CIB :
H01L 27/10 (2006.01)
Déposants : INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION [US/US]; 1 New Orchard Road Armonk, New York 10504-1722 (US)
Inventeurs : KIM, SangBum; (US).
LAM, Chung H.; (US)
Mandataire : TUCHMAN, Ido; 82-70 Beverly Road Kew Gardens, New York 11415 (US)
Données relatives à la priorité :
13/708,988 08.12.2012 US
Titre (EN) THREE-DIMENSIONAL MEMORY ARRAY AND OPERATION SCHEME
(FR) MATRICE DE MÉMOIRE TRIDIMENSIONNELLE ET SCHÉMA DE FONCTIONNEMENT
Abrégé : front page image
(EN)A system, method and computer program product for operating a three-dimensional memory array. An example array includes access transistors with first, second and gate terminals. Bit lines are coupled to the first terminals, word lines coupled to the gate terminals, and vertical lines are coupled to the second terminals. The bit, word, and vertical lines are perpendicular to one another. Memory cells are positioned along the vertical lines, including a bidirectional access device coupled in series with a memory element. The memory element is programmable to first and second states by application of first and second write voltages, opposite in polarity to one another. The array includes conductive plates parallel to the word and bit lines, and perpendicular to the vertical lines. The conductive plates are coupled to memory cells of the same height and separated by insulating layers.
(FR)L'invention porte sur un système, un procédé et un produit programme d'ordinateur pour exploiter une matrice de mémoire tridimensionnelle. Une matrice à titre d'exemple comprend des transistors d'accès comportant une première borne, une seconde borne et une borne de grille. Des lignes de bits sont couplées aux premières bornes, des lignes de mots sont couplées aux bornes de grille, et des lignes verticales sont couplées aux secondes bornes. Les lignes de bits, les lignes de mots et les lignes verticales sont perpendiculaires entre elles. Des cellules de mémoire sont placées le long des lignes verticales, comprenant un dispositif d'accès bidirectionnel couplé en série à un élément de mémoire. L'élément de mémoire est programmable à des premier et second états par application de première et seconde tensions d'écriture, de polarité opposée l'une à l'autre. La matrice comprend des plaques conductrices parallèles aux lignes de mots et de bits, et perpendiculaires aux lignes verticales. Les plaques conductrices sont couplées à des cellules de mémoire de la même hauteur et séparées par des couches isolantes.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)