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1. (WO2014089007) SOURCE DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS AVEC DES CADRES POUR UNE FIXATION À UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/089007    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/072750
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 03.12.2013
CIB :
H01M 6/18 (2006.01), H01M 10/04 (2006.01), H01M 10/056 (2010.01), A61N 1/378 (2006.01), H01M 2/02 (2006.01)
Déposants : MEDTRONIC, INC. [US/US]; 710 Medtronic Parkway, NE Minneapolis, MN 55432 (US).
SAPURAST RESEARCH LLC [US/US]; 1209 Orange Street Corporation Trust Center Wilmington, Delaware 19801 (US)
Inventeurs : DAY, John, K.; (US).
BARROR, Michael, W.; (US).
SNYDER, Shawn, W.; (US).
LAGUARDIA, Alexandra, Z.; (US).
LYTLE, Damon, E.; (US).
NEUDECKER, Bernd, J.; (US)
Mandataire : SCHELLER, James, C.; Blakely, Sokoloff, Taylor & Zafman LLP 1279 Oakmead Parkway Sunnyvale, CA 94085-4040 (US)
Données relatives à la priorité :
13/692,729 03.12.2012 US
Titre (EN) SOLID STATE POWER SOURCE WITH FRAMES FOR ATTACHMENT TO AN ELECTRONIC CIRCUIT
(FR) SOURCE DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEURS AVEC DES CADRES POUR UNE FIXATION À UN CIRCUIT ÉLECTRONIQUE
Abrégé : front page image
(EN)A power source for a solid state device includes: a first frame having a first contact portion, a first bonding portion and a first extension portion between the first contact portion and the first bonding portion; a second frame having a second contact portion, a second bonding portion and a second extension portion between the second contact portion and the second bonding portion; and a first pole layer, an electrolyte layer and a second pole layer positioned between the first and second contact portions, wherein a first portion of the electrolyte layer is positioned between the first extension and the first pole and a second portion of the electrolyte layer is positioned between the first extension and the second pole.
(FR)L'invention porte sur une source de puissance pour un dispositif à semi-conducteurs, qui comprend : un premier cadre ayant une première partie de contact, une première partie de liaison et une première partie d'extension entre la première partie de contact et la première partie de liaison; un second cadre ayant une seconde partie de contact, une seconde partie de liaison et une seconde partie d'extension entre la seconde partie de contact et la seconde partie de liaison; et une première couche de pôle, une couche d'électrolyte et une seconde couche de pôle positionnée entre les première et seconde parties de contact, une première partie de la couche d'électrolyte étant positionnée entre la première extension et le premier pôle et une seconde partie de la couche d'électrolyte étant positionnée entre la première extension et le second pôle.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)