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1. (WO2014088977) DISPOSITIF DE DÉTECTION COMPRENANT DES MODULES DE CAPTEUR INERTIEL FAISANT APPEL À DES TRANSDUCTEURS À PORTE MOBILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CES MODULES DE CAPTEUR INERTIEL
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/088977    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/072695
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 02.12.2013
CIB :
G01P 15/08 (2006.01), B81B 5/00 (2006.01), B81C 1/00 (2006.01), G01C 19/5719 (2012.01), G01P 15/12 (2006.01), G01P 15/18 (2013.01)
Déposants : ROBERT BOSCH GMBH [DE/DE]; Postfach 30 02 20 D-70442 Stuttgart (DE).
FEYH, Ando [DE/US]; (US)
Inventeurs : FEYH, Ando; (US).
CHEN, Po-Jui; (US)
Mandataire : MAGINOT, Paul, J.; Maginot, Moore & Beck LLP One Indiana Square, Suite 2200 Indianapolis, IN 46204 (US)
Données relatives à la priorité :
61/733,544 05.12.2012 US
Titre (EN) SENSOR DEVICE COMPRISING INERTIAL SENSOR MODULES USING MOVING-GATE TRANSDUCERS AND A ΜΕΤΗD OF MANUFACTURING SUCH INERTIAL SENSOR MODULES
(FR) DISPOSITIF DE DÉTECTION COMPRENANT DES MODULES DE CAPTEUR INERTIEL FAISANT APPEL À DES TRANSDUCTEURS À PORTE MOBILE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CES MODULES DE CAPTEUR INERTIEL
Abrégé : front page image
(EN)A sensor device includes a first CMOS chip and a second CMOS chip with a first moving-gate transducer formed in the first CMOS chip for implementing a first 3-axis inertial sensor and a second moving-gate transducer formed in the second CMOS chip for implementing a second 3-axis inertial sensor. An ASIC for evaluating the outputs of the first 3-axis inertial sensor and the second 3-axis inertial sensor is distributed between the first CMOS chip and the second CMOS chip.
(FR)La présente invention concerne un dispositif de détection comprenant une première puce CMOS et une seconde puce CMOS, un premier transducteur à porte mobile étant formé dans la première puce CMOS pour réaliser un premier capteur inertiel à 3 axes et un second transducteur à porte mobile étant formé dans la seconde puce CMOS pour réaliser un second capteur inertiel à 3 axes. Un ASIC servant à évaluer les sorties du premier capteur inertiel à 3 axes et du second capteur inertiel à 3 axes est distribué entre la première puce CMOS et la seconde puce CMOS.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)