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1. (WO2014088691) OXYDE DE NICKEL (NIO) OXYDÉ IN SITU EN TANT QUE SURFACE D'ÉLECTRODE POUR UN DISPOSITIF MÉTAL - ISOLANT - MÉTAL (MIM) À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE (K) ÉLEVÉE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/088691    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/062746
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 30.09.2013
CIB :
H01L 27/108 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01)
Déposants : ENTEGRIS, INC [US/US]; 129 Concord Road Billerica, MA 01821 (US)
Inventeurs : HENDRIX, Bryan, C.; (US).
LI, Weimin; (US).
O'NEILL, James, Anthony; (US)
Mandataire : HULTQUIST, Steven, J.; Hultquist IP P.O. Box 14329 Research Triangle Park, NC 27709 (US)
Données relatives à la priorité :
61/732,879 03.12.2012 US
Titre (EN) IN-SITU OXIDIZED NiO AS ELECTRODE SURFACE FOR HIGH k MIM DEVICE
(FR) OXYDE DE NICKEL (NIO) OXYDÉ IN SITU EN TANT QUE SURFACE D'ÉLECTRODE POUR UN DISPOSITIF MÉTAL - ISOLANT - MÉTAL (MIM) À CONSTANTE DIÉLECTRIQUE (K) ÉLEVÉE
Abrégé : front page image
(EN)A high dielectric constant metal-insulator structure, including an electrode comprising NiOx wherein 1 < x ≤ 1.5, and a high k dielectric material in contact with the electrode. The structure may have a further electrode in contact with the high k dielectric material, to form a metal- insulator-metal (MIM) capacitor, e.g., including a bottom electrode comprising NiOx wherein 1 < x ≤ 1.5, a high k dielectric material overlying the bottom electrode, and a top electrode comprising NiOx wherein 1 < x ≤ 1.5. The NiOx electrodes in such applications are oxide-stable, high work function electrodes that avoid deterioration of work function and conductivity during electronic device fabrication involving elevated temperature annealing.
(FR)La présente invention se rapporte à une structure métal - isolant - métal à constante diélectrique élevée qui comprend une électrode contenant du NiOx, formule chimique pour laquelle 1 < x ≤ 1,5, et un matériau diélectrique à constante diélectrique (k) élevée qui est en contact avec l'électrode. La structure peut comprendre une autre électrode en contact avec le matériau diélectrique à constante diélectrique (k) élevée afin de former un condensateur métal - isolant - métal (MIM pour Metal - Insulator - Metal), par exemple en comprenant une électrode inférieure qui contient du NiOx, formule chimique pour laquelle 1 < x ≤ 1,5, un matériau diélectrique à constante diélectrique (k) élevée qui recouvre partiellement l'électrode inférieure, et une électrode supérieure qui contient du NiOx, formule chimique pour laquelle 1 < x ≤ 1,5. Les électrodes à base de NiOx dans de telles applications sont des électrodes stables à base d'oxyde et à travail d'extraction élevé qui évitent la détérioration du travail d'extraction et de la conductivité pendant la fabrication du dispositif électronique impliquant un recuit à température élevée.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)