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1. (WO2014088546) PROCÉDÉ POUR FORMER DES CONDUCTEURS À FILM MINCE SUR UN SUBSTRAT
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/088546    N° de la demande internationale :    PCT/US2012/067607
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 03.12.2012
CIB :
H01L 21/44 (2006.01)
Déposants : NCC NANO, LLC [US/US]; Three Forest Plaza, Suite 930 12221 Merit Drive Dallas, TX 75251 (US) (Tous Sauf US).
EDD, Andrew, E. [US/US]; (US) (US only).
MUNSON, Charles, C. [US/US]; (US) (US only)
Inventeurs : EDD, Andrew, E.; (US).
MUNSON, Charles, C.; (US)
Mandataire : NG, Antony; Yudell Isidore NG Russell PLLC 8911 N. Capital of Texas Hwy. Suite 2110 Austin, TX 78759 (US)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) METHOD FOR FORMING THIN FILM CONDUCTORS ON A SUBSTRATE
(FR) PROCÉDÉ POUR FORMER DES CONDUCTEURS À FILM MINCE SUR UN SUBSTRAT
Abrégé : front page image
(EN)A method for forming thin film conductors is disclosed. A thin film precursor material is initially deposited onto a porous substrate. The thin film precursor material is then irradiated with a light pulse in order to transform the thin film precursor material to a thin film such that the thin film is more electrically conductive than the thin film precursor material. Finally, compressive stress is applied to the thin film and the porous substrate to further increase the thin film's electrical conductivity.
(FR)La présente invention concerne un procédé pour former des conducteurs à film mince. Un matériau précurseur de film mince est initialement déposé sur un substrat poreux. Le matériau précurseur de film mince est ensuite irradié en utilisant une impulsion laser afin de transformer le matériau précurseur de film mince en un film mince de sorte que le film mince soit plus électroconducteur que le matériau précurseur de film mince. Enfin, une contrainte de compression est appliquée sur le film mince et le substrat poreux pour augmenter davantage la conductivité électrique du film mince.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)