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1. (WO2014088302) DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/088302    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/011133
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
C23C 16/50 (2006.01), C23C 16/509 (2006.01)
Déposants : SNTEK CO., LTD. [KR/KR]; 1433-100, Seobu-ro, Gwonseon-gu, Suwon-si, Gyeonggi-do 441-813 (KR)
Inventeurs : AN, Kyoung Joon; (KR).
KWON, O Dae; (KR)
Mandataire : IAM PATENT & LAW FIRM; (Hyejeon Bldg, Yeoksam-dong) 402 224 Bongeunsa-ro Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0140657 06.12.2012 KR
10-2013-0098377 20.08.2013 KR (Priority Withdrawn 19.06.2014)
Titre (EN) PLASMA CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION DEVICE
(FR) DISPOSITIF DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ASSISTÉ PAR PLASMA
(KO) 플라즈마 화학기상 장치
Abrégé : front page image
(EN)The present invention relates to a plasma chemical vapour deposition device, the device comprising: a vacuum chamber; a vacuum adjusting unit for adjusting the degree of vacuum inside the vacuum chamber; a gas supply unit for supplying a process gas into the vacuum chamber; a circular electrode which is rotatably provided in the form of a roll on the inside of the vacuum chamber, and on the outer circumferential surface of which is formed an insulating layer; at least one magnetic field generating member which is provided on the inside of the circular electrode, and generates a magnetic field for forming a plasma on the outside of the circular electrode; a substrate-material-forwarding unit in which a substrate material is forwarded roll-to-roll in such a way that the substrate material wraps in close contact around a plasma-forming part of the circular electrode; and a power-source-supply unit for supplying power to the circular electrode. In this way, a plasma chemical vapour deposition device is provided which is capable of high-speed and high-quality film formation on a substrate of an insulating and electrically-conductive material.
(FR)La présente invention se rapporte à un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma, ledit dispositif comprenant : une chambre à vide ; une unité de réglage du vide destiné à régler le degré du vide à l'intérieur de la chambre à vide ; une unité d'alimentation en gaz destinée à fournir un gaz de traitement dans la chambre à vide ; une électrode circulaire qui est agencée en rotation sous la forme d'un rouleau sur la partie intérieure de la chambre à vide et sur la surface circonférentielle externe sur laquelle est formée une couche isolante ; au moins un élément générant un champ magnétique qui est agencé sur la partie intérieure de l'électrode circulaire et génère un champ magnétique afin de former un plasma sur la partie extérieure de l'électrode circulaire ; une unité d'avancement de matériau de substrat qui permet de faire avancer de rouleau en rouleau un matériau de substrat de telle sorte que le matériau de substrat s'enroule en contact étroit autour d'une partie de formation de plasma de l'électrode circulaire ; et une unité d'alimentation de source d'énergie destinée à fournir l'énergie à l'électrode circulaire. De cette manière, on réalise un dispositif de dépôt chimique en phase vapeur assisté par plasma qui peut former rapidement un film de grande qualité sur un substrat d'un matériau isolant et électroconducteur.
(KO)본 발명은 플라즈마 화학기상 장치에 관한 것으로서, 진공챔버; 상기 진공챔버 내부의 진공도를 조절하는 진공조절부; 상기 진공챔버 내부에 공정 가스를 공급하는 가스공급부; 상기 진공챔버 내부에 롤 형태로 회전 가능하게 마련되며, 외주 표면에 절연층이 형성되어 있는 적어도 하나의 원형전극; 상기 원형전극 내에 마련되어 상기 원형전극의 외측으로 플라즈마 형성을 위한 자기장을 발생하는 적어도 하나의 자기장발생부재; 기재가 상기 원형전극의 플라즈마 형성 부분에 밀착되어 감아돌도록 상기 기재를 롤투롤 형태로 이송하는 기재이송부; 상기 원형전극에 전원을 공급하는 전원공급부를 포함하는 것을 특징으로 한다. 이에 의해, 절연성 및 전도성 재질의 기재에 고속 및 고품질의 성막이 가능한 플라즈마 화학기상 장치가 제공된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)