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1. (WO2014088020) CAPTEUR À MEMS PIÉZORÉSISTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/088020    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/082545
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 04.12.2013
CIB :
G01L 9/00 (2006.01), G01P 15/12 (2006.01), B81B 3/00 (2006.01), H01L 29/84 (2006.01)
Déposants : MURATA MANUFACTURING CO., LTD. [JP/JP]; 10-1, Higashikotari 1-chome, Nagaokakyo-shi, Kyoto 6178555 (JP)
Inventeurs : KONISHI, Takahiro; (JP)
Mandataire : KAEDE PATENT ATTORNEYS' OFFICE; 1-4-34, Noninbashi, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5400011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-267348 06.12.2012 JP
Titre (EN) PIEZORESISTIVE MEMS SENSOR
(FR) CAPTEUR À MEMS PIÉZORÉSISTIF
(JA) ピエゾ抵抗型MEMSセンサ
Abrégé : front page image
(EN)In the present invention, a pressure sensor is configured from a SOI substrate that is configured from a Si substrate (10a), a SiO2 layer (10b), and a surface Si film (10c). An opening (13) is formed in the Si substrate (10a) by etching, and the surface Si film (10c) and the SiO2 layer (10b) corresponding to the opening constitute a displacement section (12) having a membrane structure. The displacement section (12) has a piezoresistive element (11) formed therein. The displacement section (12) bends corresponding to pressure to be detected, and a resistance value of the piezoresistive element changes with the bending. The thickness (ts) of the displacement section (12) having the membrane structure is 1-10 μm, and the peak position (depth) (Pd) of the impurity concentration of the piezoresistive element (11) is deeper than 0.5 μm but shallower than half the thickness of the displacement section (12).
(FR)La présente invention concerne un capteur de pression comprenant un substrat SOI obtenu à partir d'un substrat de Si (10a), une couche de SiO2 (10b) et un film superficiel de Si (10c). Une ouverture (13) est formée dans le substrat de Si (10a) par gravure, et le film superficiel de Si (10c) et la couche de SiO2 (10b) correspondant à l'ouverture constituent une section de déplacement (12) ayant une structure de membrane. Un élément piézorésistif (11) est formé dans la section de déplacement (12). La section de déplacement (12) se plie en fonction de la pression à détecter, et une valeur de résistance de l'élément piézorésistif change selon le pliage. L'épaisseur (ts) de la section de déplacement (12) ayant une structure de membrane est de 1 µm à 10 μm, et la position maximale (profondeur) (Pd) de la concentration en impureté de l'élément piézorésistif (11) est supérieure à 0,5 μm, mais inférieure à la moitié de l'épaisseur de la section de déplacement (12).
(JA) 圧力センサは、Si基板(10a)、SiO2層(10b)、表面Si膜(10c)からなるSOI基板に構成されている。Si基板(10a)にはエッチングによる開口部(13)が形成されていて、この部分の表面Si膜(10c)およびSiO2層(10b)で、メンブレン構造の変位部(12)が構成されている。変位部(12)にはピエゾ抵抗素子(11)が形成されている。変位部(12)は検出すべき圧力に応じて湾曲し、それにともなってピエゾ抵抗素子の抵抗値が変化する。メンブレン構造の変位部(12)の厚み寸法tsは1μm以上10μm以下であり、ピエゾ抵抗素子(11)の不純物濃度のピーク位置(深さ)Pdは0.5μmより深く、変位部(12)の厚み寸法の1/2の深さより浅い位置である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)