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1. (WO2014087901) FILTRE BLOQUANT LES IR AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ÉCRAN
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/087901    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081908
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 27.11.2013
CIB :
G02B 5/26 (2006.01), G02B 5/00 (2006.01), G02B 5/22 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H04N 5/225 (2006.01), H04N 5/369 (2011.01), H04N 5/374 (2011.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : HIGUCHI, Reiji; (JP).
MURAYAMA, Satoru; (JP)
Mandataire : KOBAYASHI, Kazunori; Taiyo-seimei-otsuka Bldg. 3F, 25-1, Kita-otsuka 2-chome, Toshima-ku, Tokyo 1700004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-264798 03.12.2012 JP
Titre (EN) IR-CUT FILTER AND MANUFACTURING METHOD THEREOF, SOLID STATE IMAGE PICKUP DEVICE, AND LIGHT BLOCKING FILM FORMATION METHOD
(FR) FILTRE BLOQUANT LES IR AINSI QUE PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI, DISPOSITIF D'IMAGERIE À SEMI-CONDUCTEURS, ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM ÉCRAN
(JA) IRカットフィルタ及びその製造方法、固体撮像装置、遮光膜の形成方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided is an IR-cut filter for suppressing the generation of flare and ghosting. A solid state image pickup device comprises a CMOS sensor, a circuit substrate, a ceramic substrate, an IR-cut filter, an image pickup lens, a lens holder, and a retaining barrel. The CMOS sensor is installed on the circuit substrate. The circuit substrate is fixed to the ceramic substrate in a state where the CMOS sensor is in the opening of the ceramic substrate, and a side face of the CMOS sensor is covered by the ceramic substrate. The IR-cut filter is fixed to the ceramic substrate so as to cover the opening thereof. The CMOS sensor is disposed behind the image pickup lens, and the IR-cut filter is disposed between the image pickup lens and the CMOS sensor. A light blocking layer is formed across the entire periphery of the ends of the light incident surface of the IR-cut filter. Harmful light such as reflected light is blocked by the light blocking layer.
(FR)L'invention fournit un filtre bloquant les IR empêchant l'apparition de lumière parasite ou de fantôme. Un dispositif d'imagerie à semi-conducteurs est équipé d'un capteur CMOS, d'un substrat de circuit, d'un substrat céramique, du filtre bloquant les IR, d'une lentille d'imagerie, d'un support de lentille et d'un cylindre de maintien. Le capteur CMOS est monté sur le substrat de circuit. Le substrat de circuit est fixé sur le substrat céramique dans un état dans lequel le capteur CMOS est introduit dans une ouverture du substrat céramique, et la face latérale du capteur CMOS est recouverte par le substrat céramique. Le filtre bloquant les IR est fixé sur le substrat céramique de manière à en couvrir l'ouverture. Le capteur CMOS est placé au dos de la lentille d'imagerie, et le filtre bloquant les IR est placé entre la lentille d'imagerie et le capteur CMOS. Une couche écran est formée sur toute la périphérie de la partie extrémité d'une face incidence du filtre bloquant les IR. La couche écran fait écran contre une lumière nocive telle qu'une lumière réfléchie, ou similaire.
(JA) フレアやゴーストの発生を抑制するIRカットフィルタを提供する。 固体撮像装置は、CMOSセンサ、回路基板、セラミック基板、IRカットフィルタ、撮影レンズ、レンズホルダ、保持筒を備えている。CMOSセンサは回路基板に実装されている。回路基板は、CMOSセンサがセラミック基板の開口に入った状態でセラミック基板に固定され、CMOSセンサの側面はセラミック基板により覆われる。IRカットフィルタは、開口を覆うようにセラミック基板に固定されている。撮影レンズの背後にCMOSセンサが配され、撮影レンズとCMOSセンサとの間に、IRカットフィルタが配される。IRカットフィルタの入射面の端部には、全周に亘って遮光層が形成されている。反射光等の有害光は、遮光層により遮光される。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)