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1. (WO2014087877) SUBSTRAT D'INTERPOSEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/087877    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081714
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 26.11.2013
CIB :
H01L 23/32 (2006.01), H01L 21/02 (2006.01), H01L 21/265 (2006.01), H01L 23/36 (2006.01), H01L 27/12 (2006.01)
Déposants : SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 6-1, Ohtemachi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000004 (JP)
Inventeurs : MOGI Hiroshi; (JP).
KUBOTA Yoshihiro; (JP)
Mandataire : KOJIMA Takashi; GINZA OHTSUKA Bldg. 2F, 16-12, Ginza 2-chome, Chuo-ku, Tokyo 1040061 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-268682 07.12.2012 JP
Titre (EN) INTERPOSER SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME
(FR) SUBSTRAT D'INTERPOSEUR ET PROCÉDÉ PERMETTANT DE FABRIQUER CE DERNIER
(JA) インターポーザー用基板及びその製造方法
Abrégé : front page image
(EN)On a board-like single crystal silicon base material (1A), an insulating layer (4) is formed of alumina, diamond, aluminum nitride or silicon nitride by means of chemical vapor deposition or physical vapor deposition, then the single crystal silicon base material (1A) is formed as a single crystal silicon substrate (1), and an interposer substrate (10) having the heat conductive insulating layer (4) on the single crystal silicon substrate (1) is obtained. The interposer substrate is useful for higher heat dissipation and high speed application (improved high frequency characteristics) of semiconductor devices, has semiconductor chips or the like easily mounted thereon, and can be firmly bonded to wiring boards and the semiconductor chips.
(FR)Selon la présente invention, sur un matériau de base en silicium monocristallin en forme de carte, une couche isolante (4) est composée d'alumine, de diamant, de nitrure d'aluminium ou de nitrure de silicium au moyen d'un dépôt chimique en phase vapeur ou d'un dépôt physique en phase vapeur ; ensuite, le matériau de base en silicium monocristallin (1A) est formé en tant que substrat en silicium monocristallin (1) et on obtient un substrat d'interposeur (10) qui comporte la couche isolante thermoconductrice (4) sur la substrat en silicium monocristallin (1). Le substrat d'interposeur est utile pour permettre une dissipation thermique plus importante et une application haute vitesse (de meilleures caractéristiques à fréquence élevée) des dispositifs semi-conducteurs, comporte des puces de semi-conducteur, ou analogues, qui sont facilement montées sur ces derniers, et peut être fermement fixé à des cartes de câblage et aux puces de semi-conducteur.
(JA) 板状の単結晶シリコン母材1A上に、化学的蒸着法又は物理的蒸着法でアルミナ、ダイヤモンド、窒化アルミニウム又は窒化シリコンからなる絶縁層4を形成し、次いで、上記単結晶シリコン母材1Aを単結晶シリコン基板1と成し、単結晶シリコン基板1上に熱伝導性の絶縁層4を有するインターポーザー用基板10を得ることができ、半導体装置の高放熱化、高速対応化(良高周波特性化)に有用で、半導体チップ等の搭載が容易であり、かつ配線基板や半導体チップに強固に接合できるインターポーザー基板とすることができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)