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1. (WO2014087735) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATÉRIAU CONDUCTEUR LIÉ À UN NANOTUBE DE CARBONE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATÉRIAU CONDUCTEUR LIÉ À UN NANOTUBE DE CARBONE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/087735    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/077543
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 10.10.2013
CIB :
H01B 13/00 (2006.01), B82Y 30/00 (2011.01), B82Y 40/00 (2011.01), C01B 31/02 (2006.01), H01M 4/1393 (2010.01), H01M 4/587 (2010.01)
Déposants : HITACHI ZOSEN CORPORATION [JP/JP]; 7-89, Nanko-kita 1-chome, Suminoe-ku, Osaka-shi, Osaka 5598559 (JP)
Inventeurs : MORIHARA Norifumi; .
INOUE Tetsuya;
Mandataire : MORIMOTO INT'L PATENT OFFICE; ORIX HOMMACHI Bldg. 4th Floor, 4-1, Nishi-Honmachi 1-chome, Nishi-ku, Osaka-shi, Osaka 5500005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-267748 07.12.2012 JP
Titre (EN) CARBON NANOTUBE BONDED CONDUCTOR MATERIAL SUBSTRATE FABRICATION METHOD AND CARBON NANOTUBE BONDED CONDUCTOR MATERIAL SUBSTRATE FABRICATION DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATÉRIAU CONDUCTEUR LIÉ À UN NANOTUBE DE CARBONE ET DISPOSITIF DE FABRICATION DE SUBSTRAT DE MATÉRIAU CONDUCTEUR LIÉ À UN NANOTUBE DE CARBONE
(JA) カーボンナノ接合導電材料基板の製造方法、およびカーボンナノ接合導電材料基板の製造装置
Abrégé : front page image
(EN)With this carbon nanotube bonded conductor material substrate (4) fabrication method, carbon nanotubes (2) are grown in a perpendicular orientation upon a surface of a substrate for growth (1). Thereafter, the leading ends of the carbon nanotubes are brought into contact in an approximately perpendicular direction upon a conductive substrate (3) for transfer which has unevennesses upon the surface thereof. Thereafter, by either compression, or compression and vibration, the carbon nanotubes (2) are transferred from the substrate for growth (1) to the conductive substrate for transfer (3).
(FR)Avec le procédé de fabrication d'un substrat (4) en matériau conducteur lié à un nanotube de carbone selon l'invention, des nanotubes de carbone (2) sont développés selon une orientation perpendiculaire sur une surface d'un substrat de développement (1). Ensuite, les extrémités avant des nanotubes de carbone sont mises en contact selon une direction approximativement perpendiculaire sur un substrat conducteur (3) pour transfert qui présente des irrégularités sur sa surface. Ensuite, par compression, ou compression et vibration, les nanotubes de carbone (2) sont transférés depuis le substrat de développement (1) jusqu'au substrat conducteur pour transfert (3).
(JA) 本発明のカーボンナノ接合導電材料基板4の製造方法は、成長用基板1の表面に垂直配向性を有するカーボンナノチューブ2を成長させた後、該カーボンナノチューブの先端を、表面に凹凸部を有する転着用導電基板3に対して略垂直方向に接触させ、次いで加圧するか、または加圧するとともに揺動することにより、該カーボンナノチューブ2を該成長用基板1から該転着用導電基板3に転着させることを特徴とする。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)