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1. (WO2014087522) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/087522    N° de la demande internationale :    PCT/JP2012/081661
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 06.12.2012
CIB :
H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION [JP/JP]; 7-3,Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1008310 (JP) (Tous Sauf US).
CHEN, Ze [--/JP]; (JP) (US only).
KAWAKAMI, Tsuyoshi [--/JP]; (JP) (US only).
NAKAMURA, Katsumi [--/JP]; (JP) (US only)
Inventeurs : CHEN, Ze; (JP).
KAWAKAMI, Tsuyoshi; (JP).
NAKAMURA, Katsumi; (JP)
Mandataire : TAKADA, Mamoru; Takada, Takahashi & Partners, 5th Floor, Intec 88 Bldg., 20, Araki-cho, Shinjuku-ku, Tokyo 1600007 (JP)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体装置
Abrégé : front page image
(EN)The termination region has a ring region (LNFLR). The ring region (LNFLR) is furnished with a plurality of ring-shaped P-type ring layers (12a-12f) arrayed in periodic fashion. The ring region (LNFLR) is divided into a plurality of units respectively including the plurality of P-type ring layers (12a-12f). Each unit is of unchanging width. The total number N of P-type impurities in the ring region, the target withstand voltage BV [V], the width SandL [μm], and the number num of the plurality of units satisfy the following relationships. N ≥ (M × BV)γ, M = 104-105, γ = 0.55-1.95, SandL × num × Ecri ≥ 2 × α × BV, Ecri = 2.0-3.0 × 105 [V/cm], α = 100-101. The P-type ring layers (12a-12f) of the plurality of units become smaller in width in linear fashion towards the outside of the termination region.
(FR)Selon la présente invention, la région de terminaison comporte une région annulaire (LNFLR). La région annulaire (LNFLR) comprend une pluralité de couches annulaires de type P en forme d'anneau (12a à 12f) agencées de manière périodique. La région annulaire (LNFLR) est divisée en une pluralité d'unités qui comprennent respectivement la pluralité de couches annulaires de type P (12a à 12f). Chaque unité présente une largeur invariable. Le nombre total (N) des impuretés de type P dans la région annulaire, la tension de tenue cible (BV) [en V], la largeur (SandL) [en μm] et le nombre (num) d'unités de la pluralité d'unités satisfont les relations suivantes : N ≥ (M × BV)γ, M = 104-105, γ = 0,55 - 1,95, SandL × num × Ecri ≥ 2 × α × BV, Ecri = 2,0 - 3,0 × 105 [V/cm], α = 100-101. Les couches annulaires de type P (12a à 12f) de la pluralité d'unités deviennent de manière linéaire plus petites en largeur en allant vers l'extérieur de la région de terminaison.
(JA) 終端領域はリング領域(LNFLR)を有する。リング領域(LNFLR)には、リング状の複数のP型リング層(12a~12f)が周期的に並んで設けられている。リング領域(LNFLR)は、複数のP型リング層(12a~12f)をそれぞれ含む複数のユニットに分けられる。各ユニットの幅は一定である。リング領域内のP型不純物総数をN、目標耐圧をBV[V]、各ユニットの幅をSandL[μm]、複数のユニットの数をnumとして以下の関係を満たす。N≧(M×BV)γ、M=10~10、γ=0.55~1.95、SandL×num×Ecri≧2×α×BV、Ecri=2.0~3.0×10[V/cm]、α=10~10。複数のユニットのP型リング層(12a~12f)の幅は終端領域の外側に向かって線形的に小さくなる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)