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1. (WO2014086493) ENSEMBLE DE LASER À GAZ REFROIDI PAR DIFFUSION ET PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE LA DISTRIBUTION DE DÉCHARGE AVEC UN ENSEMBLE DE LASER À GAZ REFROIDI PAR DIFFUSION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/086493    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/003679
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 05.12.2013
CIB :
H01S 3/038 (2006.01), H01S 3/223 (2006.01), H01S 3/097 (2006.01)
Déposants : TRUMPF LASER- UND SYSTEMTECHNIK GMBH [DE/DE]; Johann-Maus-Strasse 2 71254 Ditzingen (DE)
Inventeurs : SCHWANDT, Markus; (DE).
KNUPFER, Stefan; (DE).
MAHR, Gerold; (DE)
Mandataire : SCHMID, Annegret; Trumpf GmbH + Co. KG Johan-Maus-Strasse 2 71254 Ditzingen (DE)
Données relatives à la priorité :
10 2012 222 469.6 06.12.2012 DE
Titre (DE) DIFFUSIONSGEKÜHLTE GASLASERANORDNUNG UND VERFAHREN ZUR EINSTELLUNG DER ENTLADUNGSVERTEILUNG BEI EINER DIFFUSIONSGEKÜHLTEN GASLASERANORDNUNG
(EN) DIFFUSION‑COOLED GAS LASER ARRANGEMENT AND METHOD FOR SETTING THE DISCHARGE DISTRIBUTION IN THE CASE OF A DIFFUSION‑COOLED GAS LASER ARRANGEMENT
(FR) ENSEMBLE DE LASER À GAZ REFROIDI PAR DIFFUSION ET PROCÉDÉ DE RÉGLAGE DE LA DISTRIBUTION DE DÉCHARGE AVEC UN ENSEMBLE DE LASER À GAZ REFROIDI PAR DIFFUSION
Abrégé : front page image
(DE)Eine diffusionsgekühlte Gaslaseranordnung (1) mit einer ersten und einer zweiten Elektrode (2, 5) sowie einem zwischen den Elektroden (2, 5) angeordneten Entladungsspalt (4), wobei auf zumindest einer der Elektroden (5) entladungsspaltseitig ein Dielektrikum (13) angeordnet ist, ist dadurch gekennzeichnet, dass die dielektrische Dicke d/sres des Dielektrikums (13) zur Beeinflussung der Entladungsverteilung im Entladungsspalt (4) entlang zumindest einer Dimension der Elektrode (5), auf der das Dielektrikum (13) angeordnet ist, variiert, wobei d die Dicke des Dielektrikums (13) und εres die resultierende Dielektrizitätszahl des Dielektrikums (13) ist und an seiner dicksten Stelle eine Dicke von mindestens 1 mm aufweist oder größer als ein Hundertstel der Länge einer Elektrode oder größer als ein Tausendstel einer durch die Frequenz einer einzukoppelnden elektrischen Hochfrequenzleistung betimmten Wellenlänge ist.
(EN)A diffusion‑cooled gas laser arrangement (1) comprising a first and a second electrode (2, 5) and a discharge gap (4) arranged between the electrodes (2, 5), wherein a dielectric (13) is arranged on at least one of the electrodes (5) on the discharge‑gap side, is characterized in that the dielectric thickness d/εres of the dielectric (13) for influencing the discharge distribution in the discharge gap (4) varies along at least one dimension of the electrode (5) on which the dielectric (13) is arranged, wherein d is the thickness of the dielectric (13), and εres is the resultant dielectric constant of the dielectric (13), and, at its thickest point, has a thickness of at least 1 mm or is greater than one hundredth of the length of an electrode or greater than one thousandth of a wavelength determined by the frequency of a radiofrequency electrical power to be coupled in.
(FR)L'invention concerne un ensemble de laser à gaz refroidi par diffusion (1) équipé d'une première et d'une deuxième électrode (2, 5) ainsi que d'une fente de décharge (4) disposée entre les électrodes (2, 5), un matériau diélectrique (13) étant disposé sur au moins une des électrodes (5) du côté de la fente de décharge. Ledit ensemble de laser à gaz est caractérisé en ce que l'épaisseur diélectrique d/sres du matériau diélectrique (13) varie afin d'influencer la répartition de décharge dans la fente de décharge (4) le long au moins d'une dimension de l'électrode (5), sur laquelle est disposé le matériau diélectrique (13), d étant l'épaisseur du matériau diélectrique (13) et sres la constante diélectrique résultante du matériau diélectrique (13). Il est également caractérisé en ce qu'il présente, en sa partie la plus épaisse, une épaisseur d'au moins 1 mm ou est plus grand qu'un centième de la longueur d'une électrode ou plus grand qu'un millième d'une longueur d'onde déterminée par la fréquence d'une puissance haute fréquence électrique à coupler.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : allemand (DE)
Langue de dépôt : allemand (DE)