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1. (WO2014086479) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/086479    N° de la demande internationale :    PCT/EP2013/003645
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 03.12.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE/DE]; Am Campeon 1-12 85579 Neubiberg (DE)
Inventeurs : MEISER, Andreas; (DE).
WEIS, Rolf; (DE).
HIRLER, Franz; (DE).
VIELEMEYER, Martin; (AT).
ZUNDEL, Markus; (DE).
IRSIGLER, Peter; (AT)
Mandataire : JENSEN, Nils; MÜLLER - HOFFMANN & PARTNER Innere Wiener Strasse 17 81667 München (DE)
Données relatives à la priorité :
13/692,059 03.12.2012 US
14/082,491 18.11.2013 US
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE, INTEGRATED CIRCUIT AND METHOD OF FORMING A SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR, CIRCUIT INTÉGRÉ ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device comprises a transistor formed in a semiconductor body having a first main surface. The transistor comprises a source region, a drain region, a channel region, a drift zone, a source contact electrically connected to the source region, a drain contact electrically connected to the drain region, and a gate electrode at the channel region. The channel region and the drift zone are disposed along a first direction between the source region and the drain region, the first direction being parallel to the first main surface. The channel region has a shape of a first ridge extending along the first direction. One of the source contact and the drain contact is adjacent to the first main surface, the other one of the source contact and the drain contact is adjacent to a second main surface that is opposite to the first main surface.
(FR)L'invention concerne un dispositif semi-conducteur qui comprend un transistor formé dans un corps de semi-conducteur ayant une première surface principale. Le transistor comprend une région de source, une région de drain, une région de canal, une zone de dérive, un contact de source connecté électriquement à la région de source, un contact de drain connecté électriquement à la région de drain, et une électrode de grille sur la région de canal. La région de canal et la zone de dérive sont disposées le long d'une première direction entre la région de source et la région de drain, la première direction étant parallèle à la première surface principale. La région de canal possède une forme d'une première nervure s'étendant le long de la première direction. L'un du contact de source et du contact de drain est adjacent à la première surface principale, l'autre du contact de source et du contact de drain est adjacent à une seconde surface principale qui est opposée à la première surface principale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)