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1. (WO2014086081) PUCE À DEL DE STRUCTURE HORIZONTALE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/086081    N° de la demande internationale :    PCT/CN2013/000140
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 16.02.2013
CIB :
H01L 33/38 (2010.01)
Déposants : SHANGHAI DANGOO ELECTRONIC TARDING CO., LTD. [CN/CN]; 10th Floor, Liqin Building, No.1885 Duhui Rd., Minhang District Shanghai 201108 (CN).
WEN, Guojun [CN/CN]; (CN) (US only)
Inventeurs : WEN, Guojun; (CN).
QU, Song; (CN).
YAN, Huafeng; (CN)
Mandataire : SHANGHAI SHENHUI PATENT AGENT LTD.; Room 2409, Bldg.2 No.103 Caobao Road Xuhui District Shanghai 200233 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210516970.8 06.12.2012 CN
Titre (EN) LED CHIP HAVING HORIZONTAL STRUCTURE
(FR) PUCE À DEL DE STRUCTURE HORIZONTALE
(ZH) 水平结构的LED芯片
Abrégé : front page image
(EN)An LED chip having a horizontal structure; a transparent SiO2 insulation layer (3) is coated on a positively-installed or inversely-installed LED chip, a GaN layer, an n-GaN layer (5) and a p-GaN layer (2); and an electrode is plated on the n-GaN layer and the p-GaN layer respectively; the substrate of the positively-installed or inversely-installed LED chip is a transparent substrate, sapphire or silicon carbide; and the material of the transparent SiO2 insulation layer is silica gel, resin or nonconductive organic film. The horizontal structure ensures that an LED chip, like a conventional chip resistor and capacitor, can be directly attached to a substrate or a support with a die bonder or a chip mounter during packaging and manufacturing, is suitable for various LED chip packaging modes, and increases package substrate materials for the LED chip, thus improving LED chip package efficiency and package capacity.
(FR)L'invention concerne une puce à DEL présentant une structure horizontale; une couche transparente (3) d'isolation en SiO2 est appliquée sur une puce à DEL installée dans le sens positif ou le sens inverse, une couche de GaN, une couche (5) de GaN de type n et une couche (2) de GaN de type p; et une électrode est réalisée par placage respectivement sur la couche de GaN de type n et la couche de GaN de type p; le substrat de la puce à DEL installée dans le sens positif ou le sens inverse étant un substrat transparent, en saphir ou en carbure de silicium; et le matériau de la couche transparente d'isolation en SiO2 est un gel de silice, une résine ou un film organique non conducteur. La structure horizontale garantit qu'une puce à DEL, comme une résistance et un condensateur de puce conventionnelle, peut être fixée directement à un substrat ou un support à l'aide d'un dispositif de collage de pastilles ou d'un dispositif de montage de puces pendant le conditionnement et la fabrication, convient à divers modes de conditionnement de puces à DEL et augmente les matériaux de substrat de conditionnement pour la puce à DEL, améliorant ainsi le rendement de conditionnement des puces à DEL et la capacité de conditionnement.
(ZH)一种水平结构的LED芯片,在正装或倒装的LED芯片及GaN层、n-GaN层(5)和p-GaN层(2)上涂覆一层透明SiO2绝缘层(3),并在n-GaN层和p-GaN层上分别镀上电极。正装或倒装的LED芯片的衬底为透明基板、蓝宝石或碳化硅。透明SiO2绝缘层的材料为硅胶、树脂或者非导电有机薄膜。这种水平结构使得LED芯片在封装制造中能够像传统贴片电阻、电容那样,用固晶机或贴片机直接贴到基板或支架上,适用于多种LED芯片封装方式,增加了LED芯片的封装基板材料,提高了LED芯片的封装效率,提升了LED芯片的封装产能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)