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1. (WO2014086074) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE CMOS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/086074    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/087844
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 28.12.2012
CIB :
H01L 21/70 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01)
Déposants : SHANGHAI IC R & D CENTER CO., LTD. [CN/CN]; Tang, Chenchen No. 497 Gaosi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, PuDong District Shanghai 201210 (CN)
Inventeurs : LI, Chen; (CN).
GU, Xueqiang; (CN)
Mandataire : SHANGHAI TIANCHEN INTELLECTUAL PROPERTY AGENCY; WU, Shihua No. 497 Gaosi Road, Zhangjiang Hi-Tech Park, PuDong District Shanghai 201210 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210508955.9 03.12.2012 CN
Titre (EN) METHOD OF FABRICATING CMOS IMAGE SENSOR
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CAPTEUR D'IMAGE CMOS
(ZH) 一种CMOS图像传感器制造方法
Abrégé : front page image
(EN)Disclosed is a method of fabricating a Complementary Metal-Oxide Semiconductor (CMOS) image sensor, comprising: providing a silicon on insulator (SOI) substrate, the SOI substrate comprising a thin-body silicon substrate, a thick-body silicon substrate, and a silicon dioxide layer; sequentially forming a photodiode region and a first metal bonding layer on the thin-body silicon substrate; stripping the thick-body silicon substrate along the silicon dioxide layer; providing a bulk silicon substrate, the bulk silicon substrate comprising a photodiode corresponding region and other circuit regions; sequentially forming a Poly-Silicon layer and at least one metal interconnection layer in the photodiode corresponding region on the bulk silicon substrate, and forming a second metal bonding layer above the metal interconnection layer on the top; and performing metal bonding between the first thin-body silicon substrate and the bulk silicon substrate. The present invention is simple in process and low in cost, and has found wide application in fabrication of CMOS image sensors of different pixels.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un capteur d'image à semi-conducteur complémentaire à oxyde métallique (CMOS), comprenant : la fourniture d'un substrat silicium sur isolant (SOI), le substrat SOI comprenant un substrat de silicium à corps mince, un substrat de silicium à corps épais, et une couche de dioxyde de silicium; la formation de manière séquentielle d'une région de photodiode et d'une première couche de liaison métallique sur le substrat de silicium à corps mince; le décollage du substrat de silicium à corps épais le long de la couche de dioxyde de silicium; la fourniture d'un substrat de silicium massif, le substrat de silicium massif comprenant une région correspondante de photodiode et d'autres régions de circuit; la formation séquentielle d'une couche de polysilicium et d'au moins une couche d'interconnexion métallique dans la région correspondante de photodiode sur le substrat de silicium massif, et la formation d'une seconde couche de liaison métallique sur la couche d'interconnexion métallique à la surface; et la réalisation d'une soudure métallique entre le premier substrat de silicium à corps mince et le substrat de silicium massif. La présente invention possède un processus simple et un faible coût, et trouve de nombreuses applications dans la fabrication de capteurs d'image CMOS de différents pixels.
(ZH)本发明公开了一种CMOS图像传感器制造方法,包括提供SOI衬底,所述SOI衬底包括薄体硅衬底,厚体硅衬底以及二氧化硅层;在所述薄体硅衬底上依次形成感光二极管区及第一金属键合层;沿所述二氧化硅层将所述厚体硅衬底剥离;提供体硅衬底,所述体硅衬底包括感光二极管对应区及其他电路区;在所述体硅衬底上的感光二极管对应区依次形成多晶硅层、至少一层金属互连层,并在顶层金属互连层上方形成第二金属键合层;以及对所述第一薄体硅衬底与所述体硅衬底进行金属键合。本发明工艺简便,成本低廉,广泛应用于各种像素的CMOS图像传感器制造。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)