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1. (WO2014086054) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GRILLE FACTICE DANS UN PROCESSUS À FORMATION DE GRILLE EN DERNIER ET GRILLE FACTICE DANS UN PROCESSUS À FORMATION DE GRILLE EN DERNIER
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/086054    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086401
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 12.12.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No. 3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN)
Inventeurs : LI, Chunlong; (CN).
LI, Junfeng; (CN).
YAN, Jiang; (US).
ZHAO, Chao; (BE)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No. 22 Jian Guo Men Wai Ave. Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
201210510352.2 03.12.2012 CN
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING DUMMY GATE IN GATE LAST PROCESS AND DUMMY GATE IN GATE LAST PROCESS
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GRILLE FACTICE DANS UN PROCESSUS À FORMATION DE GRILLE EN DERNIER ET GRILLE FACTICE DANS UN PROCESSUS À FORMATION DE GRILLE EN DERNIER
(ZH) 一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
Abrégé : front page image
(EN)Provided are a method for manufacturing a dummy gate in a gate last process and a dummy gate in a gate last process. The method comprises: providing a semiconductor substrate (20); growing a gate oxide layer (22) on the semiconductor substrate (20); depositing a bottom-layer amorphous silicon (24) on the gate oxide layer (22); depositing an ONO structure hard mask (26) on the bottom-layer amorphous silicon (24); depositing a top-layer amorphous silicon (28) on the ONO structure hard mask (26); depositing a hard mask layer (30) on the top-layer amorphous silicon (28); miniaturizing the hard mask layer (30), so that the width of the miniaturized hard mask layer (30) is smaller than and equal to 22 nm; and etching the top-layer amorphous silicon (28), the ONO structure hard mask (26) and the bottom-layer amorphous silicon (24) by using the miniaturized hard mask layer (30) as a standard, and removing the hard mask layer (30) and the top-layer amorphous silicon (28).
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'une grille factice dans un processus à formation de grille en dernier et une grille factice dans un processus à formation de grille en dernier. Le procédé comprend : la fourniture d'un substrat de semi-conducteur (20); la croissance d'une couche d'oxyde de grille (22) sur le substrat de semi-conducteur (20); le dépôt de silicium amorphe de couche inférieure (24) sur la couche d'oxyde de grille (22); le dépôt d'un masque dur à structure ONO (26) sur le silicium amorphe de couche inférieure (24); le dépôt de silicium amorphe de couche supérieure (28) sur le masque dur à structure ONO (26); le dépôt d'une couche de masque dur (30) sur le silicium amorphe de couche supérieure (28); la miniaturisation de la couche de masque dur (30), de telle sorte que la largeur de la couche de masque dur miniaturisée (30) est inférieure ou égale à 22 nm; et la gravure du silicium amorphe de couche supérieure (28), du masque dur à structure ONO (26) et du silicium amorphe de couche inférieure (24) par utilisation de la couche de masque dur miniaturisée (30) en tant que standard, et le retrait de la couche de masque dur (30) et du silicium amorphe de couche supérieure (28).
(ZH)提供了一种后栅工艺假栅的制造方法和一种后栅工艺假栅,该方法包括:提供半导体衬底(20);在所述半导体衬底(20)上生长栅极氧化层(22);在所述栅极氧化层(22)上淀积底层非晶硅(24);在所述底层非晶硅(24)上淀积ONO结构硬掩膜(26);在所述ONO结构硬掩膜(26)上淀积顶层非晶硅(28);在所述顶层非晶硅(28)上淀积硬掩膜层(30);对所述硬掩膜层(30)进行微缩,使微缩后的硬掩膜层(30)宽度小于等于22nm;以所述微缩后的硬掩膜层(30)为标准,对所述顶层非晶硅(28)、ONO结构硬掩膜(26)和底层非晶硅(24)进行刻蚀,并去除所述硬掩膜层(30)和顶层非晶硅(28)。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)