WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014086016) RC-IGBT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/086016    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086018
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 06.12.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN).
SHANGHAI LIANXING ELECTRONICS CO., LTD [CN/CN]; Room 1513,Hongnan Investment Building No.939 Jinqiao Road, Pudong New District Shanghai 200120 (CN).
JIANGSU CAS-IGBT TECHNOLOGY CO., LTD [CN/CN]; Floor 10,Building C,China Meme-Sensor Park No.200 Linghu Street, New District Wuxi, Jiangsu 214135 (CN)
Inventeurs : TIAN, Xiaoli; (CN).
ZHU, Yangjun; (CN).
ZHANG, Wenliang; (CN).
WU, Zhenxing; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) RC-IGBT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) RC-IGBT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(ZH) RC-IGBT及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)An RC-IGBT and a manufacturing method therefor. The method includes: providing a heavily-doped substrate, forming a buffer layer on the surface of the heavily-doped substrate, the thickness of the buffer layer being greater than 1 μm, and the peak concentration being 1e14/cm3-3e16/cm3, and thinning the heavily-doped substrate. Since the thickness of the buffer layer can be made greater according to the voltage-withstand level of the device, and the concentration can be made more precise, the ON-state voltage drop and the conduction loss of an RC-IGBT can be further optimized, improving the performance of the RC-IGBT.
(FR)L'invention concerne un RC-IGBT et son procédé de fabrication. Le procédé comprend les étapes suivantes : la réalisation d'un substrat fortement dopé, la formation d'une couche tampon sur la surface du substrat fortement dopé, l'épaisseur de la couche tampon étant supérieure à 1 μm et la concentration la plus élevée étant de 1e14/cm3-3e16/cm3, et amincissement du substrat fortement dopé. Comme l'épaisseur de la couche tampon peut être rendue plus grande en fonction du niveau de rigidité diélectrique du composant et que la concentration peut être rendue plus précise, la chute de tension à l'état passant et l'affaiblissement de conduction d'un RC-IGBT peuvent être optimisés davantage, ce qui améliore les performances du RC-IGBT.
(ZH)一种RC-IGBT及其制作方法,该方法包括:提供一重掺杂衬底,在所述重掺杂衬底表面上形成缓冲层,所述缓冲层的厚度大于1μm,峰值浓度为1e14/cm3~3e16/cm3,减薄所述重掺杂衬底。由于所述缓冲层的厚度可以根据器件的耐压水平做的更厚,而浓度可以做的更加精确,所以可以进一步的优化RC-IGBT的通态压降和导通损耗,改善所述RC-IGBT的性能。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)