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1. (WO2014086014) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE ITC ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/086014    N° de la demande internationale :    PCT/CN2012/086001
Date de publication : 12.06.2014 Date de dépôt international : 06.12.2012
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/739 (2006.01)
Déposants : INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES [CN/CN]; No.3 Beitucheng West Road, Chaoyang District Beijing 100029 (CN).
SHANGHAI LIANXING ELECTRONICS CO.,LTD [CN/CN]; Room 1513, Hongnan Investment Building No.939 Jinqiao Road, Pudong New District Shanghai 200120 (CN).
JIANGSU CAS-IGBT TECHNOLOGY CO.,LTD [CN/CN]; Floor 5, Building D2, China Meme-Sensor Park No.200 Linghu Street, New District Wuxi, Jiangsu 214135 (CN)
Inventeurs : WU, Zhenxing; (CN).
ZHU, Yangjun; (CN).
TIAN, Xiaoli; (CN).
LU, Shuojin; (CN)
Mandataire : UNITALEN ATTORNEYS AT LAW; 7th Floor, Scitech Place No.22, Jian Guo Men Wai Ave., Chao Yang District Beijing 100004 (CN)
Données relatives à la priorité :
Titre (EN) ITC-IGBT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
(FR) TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE ITC ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELUI-CI
(ZH) ITC-IGBT及其制作方法
Abrégé : front page image
(EN)An ITC-IGBT and a manufacturing method therefor. The method comprises: providing a heavily doped substrate, forming a GexSi1-x/Si multi-quantum well strained super lattice layer on the surface of the heavily doped substrate, and forming a lightly doped layer on the surface of the GexSi1-x/Si multi-quantum well strained super lattice layer. The GexSi1-x/Si multi-quantum well strained super lattice layer is formed on the surface of the heavily doped substrate through one step, simplifying the production process of the ITC-IGBT.
(FR)L'invention concerne un transistor bipolaire à grille isolée (IGBT) ITC et un procédé de fabrication de celui-ci. Le procédé comprend : la fourniture d'un substrat fortement dopé, la formation d'une couche de super-réseau à contrainte de puits quantiques multiples en GexSi1-x/Si sur la surface du substrat fortement dopé, et la formation d'une couche faiblement dopée sur la surface de la couche de super-réseau à contrainte de puits quantiques multiples en GexSi1-x/Si. La couche de super-réseau à contrainte de puits quantiques multiples en GexSi1-x/Si est formée sur la surface du substrat fortement dopé en une étape, ce qui simplifie le processus de fabrication de l'IGBT-ITC.
(ZH)一种 ITC-IGBT及其制作方法,该方法包括:提供一重掺杂衬底,在所述重掺杂衬底表面上形成 GexSi1-x /Si多量子阱应变超晶格层,在所述GexSi1-x /Si多量子阱应变超晶格层表面上形成轻掺杂层。所述GexSi1-x /Si多量子阱应变超晶格层通过一个步骤形成在所述重掺杂衬底表面上,简化了ITC-IGBT的生产工艺。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IS, JP, KE, KG, KM, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : chinois (ZH)
Langue de dépôt : chinois (ZH)