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1. (WO2014085410) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL AMBIPOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/085410    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/071919
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 26.11.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01)
Déposants : UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC. [US/US]; 223 Grinter Hall Gainesville, FL 32611 (US)
Inventeurs : RINZLER, Andrew, Gabriel; (US).
LIU, Bo; (US).
MCCARTHY, Mitchell, Austin; (US)
Mandataire : WALSH, Edmund, J.; Wolf, Greenfield & Sacks, P.C. 600 Atlantic Avenue Boston, MA 02210-2206 (US)
Données relatives à la priorité :
61/731,750 30.11.2012 US
Titre (EN) AMBIPOLAR VERTICAL FIELD EFFECT TRANSISTOR
(FR) TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP VERTICAL AMBIPOLAIRE
Abrégé : front page image
(EN)Various examples are provided for ambipolar vertical field effect transistors (VFETs). In one example, among others, an ambipolar VFET includes a gate layer; a source layer that is electrically percolating and perforated; a dielectric layer; a drain layer; and a semiconducting channel layer. The semiconducting channel layer is in contact with at least a portion of the source layer and at least a portion of the dielectric layer and the source layer and the semiconducting channel layer form a gate voltage tunable charge injection barrier. Another example includes an ambipolar vertical field effect transistor including a dielectric surface treatment layer. The semiconducting channel layer is in contact with at least a portion of the source layer and at least a portion of the dielectric surface treatment layer and where the source layer and the semiconducting channel layer form a gate voltage tunable charge injection barrier.
(FR)La présente invention se rapporte à divers exemples de transistor à effet de champ vertical ambipolaire (VFET). Dans l'un de ces exemples, entre autres, un VFET ambipolaire comprend : une couche de grilles; une couche source qui exécute un filtrage par voie électrique et qui est perforée; une couche diélectrique; une couche de drain; et une couche de canal à base de semi-conducteur. La couche de canal à base de semi-conducteur est en contact avec au moins une partie de la couche source et avec au moins une partie de la couche diélectrique, et la couche source et la couche de canal à base de semi-conducteur forment une barrière d'injection de charge réglable de tension de grille. Un autre exemple de l'invention comprend un transistor à effet de champ vertical ambipolaire qui comprend une couche de traitement de surface diélectrique. La couche de canal à base de semi-conducteur est en contact avec au moins une partie de la couche source et avec au moins une partie de la couche de traitement de surface diélectrique, et la couche source et la couche de canal à base de semi-conducteur forment une barrière d'injection de charge réglable de tension de grille.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)