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1. (WO2014085391) DÉVERSOIR POUR PERMETTRE UNE MEILLEURE CROISSANCE CRISTALLINE DANS UN PROCÉDÉ DE CZOCHRALSKI CONTINU
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/085391    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/071879
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 26.11.2013
CIB :
C30B 15/12 (2006.01), C30B 29/06 (2006.01)
Déposants : SOLAICX, INC. [US/US]; 501 Pearl Drive St. Peters, Missouri 63376 (US)
Inventeurs : SWAMINATHAN, Tirumani N.; (US)
Mandataire : MUNSELL, Michael G.; Armstrong Teasdale LLP 7700 Forsyth Blvd. Suite 1800 St. Louis, Missouri 63105 (US)
Données relatives à la priorité :
13/689,189 29.11.2012 US
Titre (EN) WEIR FOR IMPROVED CRYSTAL GROWTH IN A CONTINUOUS CZOCHRALSKI PROCESS
(FR) DÉVERSOIR POUR PERMETTRE UNE MEILLEURE CROISSANCE CRISTALLINE DANS UN PROCÉDÉ DE CZOCHRALSKI CONTINU
Abrégé : front page image
(EN)An apparatus for growing ingots by the Czochralski method includes a growth chamber defining an enclosure configured to circulate a purge gas about the growing ingot and a crucible provided in the growth chamber configured to hold the molten silicon. A weir is supported in the crucible and is configured to separate the molten silicon into an inner growth region surrounding the melt/crystal interface from an outer region configured to receive the crystalline feedstock. The weir comprises at least one sidewall extending vertically and a cap extending substantially perpendicularly to the sidewall.
(FR)La présente invention se rapporte à un appareil permettant de faire croître des lingots au moyen du procédé de Czochralski, ledit appareil comprenant une chambre de croissance qui définit une enceinte configurée pour faire circuler un gaz de purge autour du lingot en croissance, ainsi qu'un creuset agencé dans la chambre de croissance et configuré pour contenir le silicium fondu. Un déversoir est supporté dans le creuset et est configuré pour séparer le silicium fondu en une région de croissance interne qui entoure l'interface matière fondue/cristal par rapport à une région externe configurée pour recevoir la matière première cristalline. Le déversoir comprend au moins une paroi latérale qui s'étend verticalement, et un bouchon qui s'étend sensiblement de manière perpendiculaire à la paroi latérale.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)