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1. (WO2014085299) DISTRIBUTION DE DENSITÉ DE MÉTAL POUR UNE LITHOGRAPHIE À DOUBLE MOTIF
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/085299    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/071614
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 25.11.2013
CIB :
H01L 21/027 (2006.01)
Déposants : ADVANCED MICRO DEVICES, INC. [US/US]; One AMD Place P.O. Box 3453 Sunnyvale, CA 94088 (US)
Inventeurs : SCHULTZ, Richard; (US).
ROWHANI, Omid; (CA).
TUNG, Charles; (US)
Mandataire : JONES, Anthony, P.; Park, Vaughan, Fleming & Dowler LLP 3678 Hastings Ct. Lafayette, CA 94549 (US)
Données relatives à la priorité :
13/686,184 27.11.2012 US
Titre (EN) METAL DENSITY DISTRIBUTION FOR DOUBLE PATTERN LITHOGRAPHY
(FR) DISTRIBUTION DE DENSITÉ DE MÉTAL POUR UNE LITHOGRAPHIE À DOUBLE MOTIF
Abrégé : front page image
(EN)Methods, a computer readable medium, and an apparatus are provided. A method includes and the computer readable medium is configured for decomposing an overall pattern into a first mask pattern that includes a power rail base pattern and into a second mask pattern, and generating on the second mask pattern a power rail insert pattern that is at least partially aligned with the power rail base pattern of the first mask pattern. The apparatus is produced by photolithography using photolithographic masks generated by the method.
(FR)La présente invention se rapporte à des procédés, à un support de stockage lisible par un ordinateur, et à un appareil. Un procédé selon l'invention consiste, et le support de stockage lisible par un ordinateur est configuré de façon : à décomposer un motif général en un premier motif de masque qui comprend un motif de base de rail conducteur, et en un second motif de masque ; et à générer, sur le second motif de masque, un motif d'insertion de rail conducteur qui est au moins partiellement aligné avec le motif de base de rail conducteur du premier motif de masque. L'appareil est produit par photolithographie, au moyen de masques photolithographiques générés par le procédé.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)