WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014085188) COUCHE LIBRE AVEC ANISOTROPIE HORS PLAN POUR DES APPLICATIONS DE DISPOSITIF MAGNÉTIQUE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/085188    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/071227
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 21.11.2013
CIB :
H01F 10/32 (2006.01), H01F 41/30 (2006.01)
Déposants : HEADWAY TECHNOLOGIES, INC. [US/US]; 678 South Hillview Drive Milpitas, CA 95035 (US)
Inventeurs : WANG, Yu-jen; (US).
JAN, Guenole; (US).
TONG, Ru-ying; (US)
Mandataire : ACKERMAN, Stephen, B.; Saile Ackerman LLC 28 Davis Avenue Poughkeepsie, NY 12603 (US)
Données relatives à la priorité :
13/686,169 27.11.2012 US
Titre (EN) FREE LAYER WITH OUT-OF-PLANE ANISOTROPY FOR MAGNETIC DEVICE APPLICATIONS
(FR) COUCHE LIBRE AVEC ANISOTROPIE HORS PLAN POUR DES APPLICATIONS DE DISPOSITIF MAGNÉTIQUE
Abrégé : front page image
(EN)Synthetic antiferromagnetic (SAF) and synthetic ferrimagnetic (SyF) free layer structures are disclosed that reduce Ho (for a SAF free layer), increase perpendicular magnetic anisotropy (PMA), and provide higher thermal stability up to at least 400°C. The SAF and SyF structures have a FL1/DL1/spacer/DL2/FL2 configuration wherein FL1 and FL2 are free layers with PMA, the coupling layer induces antiferromagnetic or ferrimagnetic coupling between FL1 and FL2 depending on thickness, and DL1 and DL2 are dusting layers that enhance the coupling between FL1 and FL2. The SAF free layer may be used with a SAF reference layer in STT-MRAM memory elements or in spintronic devices including a spin transfer oscillator. Furthermore, a dual SAF structure is described that may provide further advantages in terms of Ho, PMA, and thermal stability.
(FR)La présente invention se rapporte à des structures en couches libres synthétiques antiferromagnétiques (SAF) et en couches libres synthétiques ferrimagnétiques (SyF) adaptées pour : réduire du Ho (pour une couche libre SAF) ; augmenter une anisotropie magnétique perpendiculaire (PMA) ; et améliorer une stabilité thermique jusqu'à au moins 400 °C. Les structures SAF et SyF ont une configuration FL1/DL1/entretoise/DL2/FL2 dans laquelle : FL1 et FL2 sont des couches libres avec PMA ; la couche de couplage induit un couplage antiferromagnétique ou un couplage ferrimagnétique entre les couches libres FL1 et FL2 en fonction de l'épaisseur ; et DL1 et DL2 sont des couches de poussières qui améliorent le couplage entre les couches libres FL1 et FL2. La couche libre SAF peut être utilisée avec une couche de référence SAF dans des éléments de mémoire STT-MRAM ou dans des dispositifs magnétoélectroniques comprenant un oscillateur de transfert de spin. La présente invention se rapporte d'autre part à une double structure SAF qui peut fournir d'autres avantages en termes de Ho, de PMA et de stabilité thermique.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)