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1. (WO2014085159) DIODES DE SCHOTTKY ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CES DERNIÈRES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/085159    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/070994
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 20.11.2013
CIB :
H01L 29/872 (2006.01), H01L 21/329 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/47 (2006.01), H01L 29/16 (2006.01)
Déposants : CREE, INC. [US/US]; 4600 Silicon Drive Durham, North Carolina 27703 (US)
Inventeurs : ZHANG, Qingchun; (US)
Mandataire : WITHROW, Benjamin, S.; Withrow & Terranova, P.L.L.C. 100 Regency Forest Drive Suite 160 Cary, North Carolina 27518 (US)
Données relatives à la priorité :
13/686,119 27.11.2012 US
Titre (EN) SCHOTTKY DIODES AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME
(FR) DIODES DE SCHOTTKY ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CES DERNIÈRES
Abrégé : front page image
(EN)The present disclosure relates to a a Schottky diode having a drift layer and a Schottky layer. The drift layer is doped with a doping material of a first conductivity type and has a first surface associated with an active region. The Schottky layer is provided over the active region of the first surface to form a Schottky junction. A plurality of junction barrier elements of the second conductivity type are formed in the drift layer below the Schottky junction, and a plurality of central implants of the second conductivity type are also formed in the drift layer below the Schottky junction. In certain embodiments, at least one central implant is provided between each adjacent pair of junction barrier elements.
(FR)La présente invention concerne une diode de Schottky qui possède une couche de mouvement et une couche de Schottky. Ladite couche de mouvement est dopée avec un matériau de dopage ayant un premier type de conductivité et possède une première surface associée à une zone active. Ladite couche de Schottky est prévue par-dessus ladite zone active de ladite première surface afin de former une jonction de Schottky. Une pluralité d'éléments de barrière de jonction ayant un second type de conductivité est formée dans ladite couche de mouvement sous ladite jonction de Schottky, et une pluralité d'implants centraux ayant le second type de conductivité est également formée dans ladite couche de mouvement, sous ladite jonction de Schottky. Dans certains modes de réalisation, au moins un implant central est prévu entre chaque paire adjacente d'éléments de barrière de jonction.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)