WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014085140) COMMUTATION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP RF HAUTE PUISSANCE EN UTILISANT DES POLARISATIONS À COURANT CONTINU (CC)
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/085140    N° de la demande internationale :    PCT/US2013/070784
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 19.11.2013
Demande présentée en vertu du Chapitre 2 :    27.01.2015    
CIB :
H02J 7/02 (2006.01), H02J 5/00 (2006.01)
Déposants : QUALCOMM INCORPORATED [US/US]; ATTN: International IP Administration 5775 Morehouse Drive San Diego, California 92121-1714 (US)
Inventeurs : WHEELAND, Cody B.; (US).
IRISH, Linda S.; (US).
VON NOVAK, William H.; (US).
MAYO, Gabriel Issac; (US)
Mandataire : ABUMERI, Mark M.; KNOBBE MARTENS OLSON & BEAR LLP 2040 Main Street, Fourteenth Floor Irvine, California 92614 (US)
Données relatives à la priorité :
61/732,232 30.11.2012 US
13/835,285 15.03.2013 US
Titre (EN) HIGH POWER RF FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING USING DC BIASES
(FR) COMMUTATION DE TRANSISTOR À EFFET DE CHAMP RF HAUTE PUISSANCE EN UTILISANT DES POLARISATIONS À COURANT CONTINU (CC)
Abrégé : front page image
(EN)Systems, methods, and apparatus are provided for tuning in wireless power transfer circuits. One aspect of the disclosure provides an apparatus for tuning. The apparatus includes a field effect transistor having a gate, source, and drain, where the field effect transistor is configured to electrically engage a tuning element to an AC power path. In some embodiments, one of the source or drain contacts is at an alternating current voltage.
(FR)L'invention porte sur des systèmes, des procédés et un appareil pour un accord dans des circuits de transfert de puissance sans fil. Un aspect de l'invention porte sur un appareil pour un accord. L'appareil comprend un transistor à effet de champ ayant une grille, une source, et un drain, le transistor à effet de champ étant configuré pour engager électriquement un élément d'accord à un chemin de puissance à courant alternatif (CA). Selon certains modes de réalisation, un des contacts de source ou de drain est à une tension à courant alternatif.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)