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1. (WO2014084549) TRANCHE ÉPITAXIALE ET ÉLÉMENT COMMUTATEUR ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT UTILISANT CES DERNIERS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084549    N° de la demande internationale :    PCT/KR2013/010645
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 21.11.2013
CIB :
H01L 21/20 (2006.01)
Déposants : LG INNOTEK CO., LTD. [KR/KR]; Seoul Square, 416, Hangang-daero Jung-gu Seoul 100-714 (KR)
Inventeurs : KANG, Seok Min; (KR).
KIM, Ji Hye; (KR).
HWANG, Min Young; (KR)
Mandataire : SEO, Kyo Jun; 6th Fl. Hyun Juk Bldg.,832-41,Yeoksam-dong Gangnam-gu Seoul 135-080 (KR)
Données relatives à la priorité :
10-2012-0137985 30.11.2012 KR
10-2013-0012962 05.02.2013 KR
Titre (EN) EPITAXIAL WAFER AND SWITCH ELEMENT AND LIGHT-EMITTING ELEMENT USING SAME
(FR) TRANCHE ÉPITAXIALE ET ÉLÉMENT COMMUTATEUR ET ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT UTILISANT CES DERNIERS
(KO) 에피택셜 웨이퍼, 이를 이용한 스위치 소자 및 발광 소자
Abrégé : front page image
(EN)An epitaxial wafer comprises an epitaxial layer disposed on a substrate. The epitaxial layer comprises first to third semiconductor layers. The third semiconductor layer has a thickness that is thicker than that of the first semiconductor layer. A second doping density of the second semiconductor layer is between a first doping density of the first semiconductor layer and a third doping density of the third semiconductor layer.
(FR)La présente invention concerne une tranche épitaxiale qui comprend une couche épitaxiale disposée sur un substrat. La couche épitaxiale comprend des première à troisième couches semi-conductrices. La troisième couche semi-conductrice a une épaisseur qui est supérieure à celle de la première couche semi-conductrice. Une seconde densité de dopage de la deuxième couche semi-conductrice est comprise entre une première densité de dopage de la première couche semi-conductrice et une troisième densité de dopage de la troisième couche semi-conductrice.
(KO)에피택셜 웨이퍼는 기판 상에 배치되는 에피택셜층을 포함한다. 에피택셜층은 제1 내지 제3 반도체층을 포함한다. 제3 반도체층은 제1 반도체층보다 두꺼운 두께를 가진다. 제2 반도체층의 제2 도핑 농도는 제1 반도체층의 제1 도핑 농도와 제3 반도체층의 제3 도핑 농도 사이에 위치된다.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : coréen (KO)
Langue de dépôt : coréen (KO)