WIPO logo
Mobile | Deutsch | English | Español | 日本語 | 한국어 | Português | Русский | 中文 | العربية |
PATENTSCOPE

Recherche dans les collections de brevets nationales et internationales
World Intellectual Property Organization
Recherche
 
Options de navigation
 
Traduction
 
Options
 
Quoi de neuf
 
Connexion
 
Aide
 
Traduction automatique
1. (WO2014084215) RÉSEAU DE PHOTODIODES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084215    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081801
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 26.11.2013
CIB :
H01L 27/146 (2006.01), H01L 27/14 (2006.01), H01L 27/144 (2006.01), H01L 31/10 (2006.01)
Déposants : HAMAMATSU PHOTONICS K.K. [JP/JP]; 1126-1, Ichino-cho, Higashi-ku, Hamamatsu-shi, Shizuoka 4358558 (JP)
Inventeurs : YAMANAKA Tatsumi; (JP).
SAKAMOTO Akira; (JP).
HOSOKAWA Noburo; (JP)
Mandataire : HASEGAWA Yoshiki; SOEI PATENT AND LAW FIRM, Marunouchi MY PLAZA (Meiji Yasuda Life Bldg.) 9th fl., 1-1, Marunouchi 2-chome, Chiyoda-ku, Tokyo 1000005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-260067 28.11.2012 JP
Titre (EN) PHOTODIODE ARRAY
(FR) RÉSEAU DE PHOTODIODES
(JA) フォトダイオードアレイ
Abrégé : front page image
(EN)This photodiode array is equipped with a plurality of photodiodes formed on a semiconductor substrate. Each of the photodiodes has: a first semiconductor region of a first conductive type provided on the semiconductor substrate; a second semiconductor region of a second conductive type constituting the first semiconductor region and a photodetection region, and provided on one surface of the semiconductor substrate in relation to the first semiconductor region so as to surround a prescribed region; and a through electrode electrically connected to the second semiconductor region, and positioned inside a through-hole for passing between the one surface and the other surface of the semiconductor substrate so as to pass through the first semiconductor region and the prescribed region. Furthermore, the through electrode includes a section which widens from the one surface toward the other surface.
(FR)La présente invention concerne un réseau de photodiodes équipé d'une pluralité de photodiodes formées sur un substrat semi-conducteur. Chaque photodiode comporte : une première région semi-conductrice d'un premier type conducteur disposée sur le substrat semi-conducteur ; une seconde région semi-conductrice d'un second type conducteur constituant la première région semi-conductrice et une région de photodétection, et disposée sur la première surface du substrat semi-conducteur par rapport à la première région semi-conductrice de façon à entourer une région prescrite ; et une électrode traversante, connectée électriquement à la seconde région semi-conductrice, et positionnée à l'intérieur d'un trou traversant pour passer entre la première surface et l'autre surface du substrat semi-conducteur de façon à passer à travers la première région semi-conductrice et la région prescrite. En outre, l'électrode traversante comprend une section qui s'élargit à partir de la première surface vers l'autre surface.
(JA)フォトダイオードアレイは、半導体基板に形成された複数のフォトダイオードを備える。フォトダイオードのそれぞれは、半導体基板に設けられた第1導電型の第1半導体領域と、所定領域を囲むように第1半導体領域に対して半導体基板の一方の面側に設けられ、第1半導体領域と共に光検出領域を構成する第2導電型の第2半導体領域と、第1半導体領域及び所定領域を通るように一方の面と半導体基板の他方の面との間を貫通する貫通孔内に設けられ、第2半導体領域と電気的に接続された貫通電極と、を有する。貫通孔は、一方の面から他方の面に向かって拡がった部分を含んでいる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)