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1. (WO2014084204) PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084204    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081762
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 26.11.2013
CIB :
H01L 21/308 (2006.01), H01L 21/306 (2006.01), H01L 21/768 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : NISHIWAKI, Yoshinori; (JP).
KAMIMURA, Tetsuya; (JP).
INABA, Tadashi; (JP).
MIZUTANI, Atsushi; (JP)
Mandataire : IIDA, Toshizo; ISHII Bldg. 3F, 1-10, Shimbashi 3-chome, Minato-ku, Tokyo 1050004 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-259788 28.11.2012 JP
Titre (EN) METHOD FOR ETCHING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) PROCÉDÉ DE GRAVURE D'UN SUBSTRAT SEMI-CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEUR
(JA) 半導体基板のエッチング方法及び半導体素子の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)An etching method of treating a substrate having a first layer containing a titanium nitride (TiN) and a second layer containing a transition metal is to be treated, wherein a substrate having a surface oxygen content of 0.1-10mol% in the first layer is selected, and a pH7-14 etching solution containing an ammonia compound and an oxidizing agent is brought into contact with the substrate in order to remove the first layer.
(FR)La présente invention concerne un procédé de gravure destiné à traiter un substrat ayant une première couche contenant un nitrure de titane (TiN) et une seconde couche contenant un métal de transition, dans lequel un substrat ayant une teneur en oxygène de surface de 0,1 à 10 % en moles dans la première couche est choisi, et une solution de gravure à pH 7 à 14 contenant un composé ammoniaque et un agent oxydant est mise en contact avec le substrat afin d'éliminer la première couche.
(JA)窒化チタン(TiN)を含む第1層と遷移金属を含む第2層とを有する基板を処理するに当たり、前記第1層における表面酸素含有率が0.1~10モル%の基板を選定し、アンモニア化合物と酸化剤とを含むpH7~14のエッチング液を前記基板に接触させて当該第1層を除去するエッチング方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)