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1. (WO2014084197) ABSORBEUR DE SURCHARGE À FILM MINCE, DISPOSITIF À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ABSORBEUR DE SURCHARGE À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À FILM MINCE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084197    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081732
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 26.11.2013
CIB :
H01T 4/10 (2006.01), H01C 7/00 (2006.01), H01C 7/04 (2006.01), H01C 17/06 (2006.01), H01T 1/24 (2006.01), H01T 4/12 (2006.01)
Déposants : SEMITEC CORPORATION [JP/JP]; 7-7, Kinshi1-Chome, Sumida-ku Tokyo 1308512 (JP)
Inventeurs : MATSUSHITA Takafumi; (JP).
MATSUDATE Tadashi; (JP)
Mandataire : IZUMI Junichi; IZUMI INTERNATIONAL PATENT OFFICE, 6-C TAKUEI Yokohama-nishiguchi Bldg. 30-5, Tsuruyacho 3-chome Kanagawa-ku, Yokohama-shi Kanagawa 2210835 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-262994 30.11.2012 JP
Titre (EN) THIN FILM SURGE ABSORBER, THIN FILM DEVICE, METHOD FOR PRODUCING THIN FILM SURGE ABSORBER, AND METHOD FOR MANUFACTURING THIN FILM DEVICE
(FR) ABSORBEUR DE SURCHARGE À FILM MINCE, DISPOSITIF À FILM MINCE, PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN ABSORBEUR DE SURCHARGE À FILM MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF À FILM MINCE
(JA) 薄膜サージアブソーバ、薄膜ディバイス及びこれらの製造方法
Abrégé : front page image
(EN)Provided are: a thin film surge absorber which is capable of effectively increasing resistance to static electricity and is capable of improving reliability; a thin film device; a method for producing the thin film surge absorber; and a method for manufacturing the thin film device. A thin film device (1) comprises: a substrate (2); and a conductive layer (3) which is formed on the substrate (2) and is provided with a pair of electrode parts (31a, 31b) that are arranged at a predetermined distance, a pair of discharge electrode parts (32a, 32b) that are arranged so as to face each other with a discharge gap therebetween, and terminal electrode parts (33a, 33b) that are connected to the electrode parts (31a, 31b) and the discharge electrode parts (32a, 32b) via conduction paths (34a, 34b, 35a, 35b). This thin film device (1) is also provided with: a thin film element layer (4) that is connected to the pair of electrode parts (31a, 31b); and a protective insulating layer (5) that covers the thin film element layer (4) and the pair of discharge electrode parts (32a, 32b) and has a hollow part (Ct) which faces at least the discharge gap between the pair of discharge electrode parts (32a, 32b).
(FR)L'invention concerne: un absorbeur de surcharge à film mince qui est capable d'augmenter efficacement la résistance à l'électricité statique et d'améliorer la fiabilité; un dispositif à film mince; un procédé de production de l'absorbeur de surcharge à film mince; et un procédé de fabrication du dispositif à film mince. Un dispositif (1) à film mince comporte: un substrat (2); et une couche conductrice (3) qui est formée sur le substrat (2) et qui est munie d'une paire de parties (31a, 31b) d'électrodes qui sont disposées à une distance prédéterminée, d'une paire de parties (32a, 32b) d'électrodes de décharge qui sont disposées de manière à se faire face avec un écartement de décharge entre celles-ci, et des parties (33a, 33b) d'électrodes de bornes qui sont reliées aux parties (31a, 31b) d'électrodes et aux parties (32a, 32b) d'électrodes de décharge via des parcours (34a, 34b, 35a, 35b) de conduction. Le dispositif (1) à film mince comporte également: une couche (4) d'élément de film mince reliée à la paire de parties (31a, 31b) d'électrodes; et une couche isolante protectrice (5) recouvrant la couche (4) d'élément de film mince et la paire de parties (32a, 32b) d'électrodes de décharge et comprenant une partie creuse (Ct) qui fait face au moins à l'écartement de décharge entre la paire de parties (32a, 32b) d'électrodes de décharge.
(JA) 効果的に静電気に対する耐性を高めることができ、信頼性を向上することが可能な薄膜サージアブソーバ、薄膜ディバイス及びこれらの製造方法を提供する。 薄膜ディバイス1は、基板2と、この基板2に形成され、所定の間隔を有して配置された一対の電極部31a、31bと、放電間隙を有して対向配置された一対の放電電極部32a、32bと、これら電極部31a、31b及び放電電極部32a、32bに導通経路34a、34b、35a、35bを介して接続された端子電極部33a、33bとを備えた導電層3とを有している。前記一対の電極部31a、31bに接続された薄膜素子層4と、前記一対の放電電極部32a、32bにおける放電間隙に少なくとも対向する空洞部Ctを有して前記薄膜素子層4及び一対の放電電極部32a、32bを被覆する保護絶縁層5とを備えている。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)