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1. (WO2014084152) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084152    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081577
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 19.11.2013
CIB :
H01L 29/786 (2006.01), H01L 21/28 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 21/8234 (2006.01), H01L 21/8242 (2006.01), H01L 21/8247 (2006.01), H01L 27/06 (2006.01), H01L 27/08 (2006.01), H01L 27/105 (2006.01), H01L 27/108 (2006.01), H01L 27/115 (2006.01), H01L 29/417 (2006.01), H01L 29/788 (2006.01), H01L 29/792 (2006.01)
Déposants : SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD. [JP/JP]; 398, Hase, Atsugi-shi, Kanagawa 2430036 (JP)
Inventeurs : MATSUBAYASHI, Daisuke; (JP).
SHINOHARA, Satoshi; .
SEKINE, Wataru;
Données relatives à la priorité :
2012-261795 30.11.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR DEVICE
(FR) DISPOSITIF À SEMICONDUCTEURS
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor device in which deterioration of electrical characteristics which becomes more noticeable as the transistor is miniaturized can be suppressed is provided. The semiconductor device includes an oxide semiconductor stack in which a first oxide semiconductor layer, a second oxide semiconductor layer, and a third oxide semiconductor layer are stacked in this order from the substrate side over a substrate; a source electrode layer and a drain electrode layer which are in contact with the oxide semiconductor stack; a gate insulating film over the oxide semiconductor stack, the source electrode layer, and the drain electrode layer; and a gate electrode layer over the gate insulating film. The first oxide semiconductor layer includes a first region. The gate insulating film includes a second region. When the thickness of the first region is TS1 and the thickness of the second region is TG1, TS1 ≥ TG1.
(FR)L'invention concerne un dispositif à semiconducteurs caractérisé par la possibilité de limiter une détérioration des caractéristiques électriques qui devient plus notable à mesure que le transistor est miniaturisé. Le dispositif à semiconducteurs comprend un empilement de semiconducteurs à oxyde dans lequel une première couche de semiconducteur à oxyde, une deuxième couche de semiconducteur à oxyde et une troisième couche de semiconducteur à oxyde sont empilées par-dessus un substrat, dans cet ordre en partant du côté substrat; une couche d'électrode de source et une couche d'électrode de drain qui sont en contact avec l'empilement de semiconducteurs à oxyde; un film isolant de grille par-dessus l'empilement de semiconducteurs à oxyde, la couche d'électrode de source et la couche d'électrode de drain; et une couche d'électrode de grille par-dessus le film isolant de grille. La première couche de semiconducteur à oxyde comprend une première région. Le film isolant de grille comprend une deuxième région. Si l'épaisseur de la première région est notée T?S1#191 et l'épaisseur de la deuxième région est notée T?G1#191, T?S1#191 ≥ T?G1#191.
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : anglais (EN)
Langue de dépôt : anglais (EN)