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1. (WO2014084133) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084133    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/081488
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 22.11.2013
CIB :
H01L 51/42 (2006.01), B32B 9/00 (2006.01), C01G 23/04 (2006.01), C03C 17/34 (2006.01), C09D 1/00 (2006.01), C09D 133/10 (2006.01), C09D 201/00 (2006.01), H01L 31/04 (2014.01), H01M 14/00 (2006.01)
Déposants : SEKISUI CHEMICAL CO., LTD. [JP/JP]; 4-4, Nishitemma 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300047 (JP)
Inventeurs : HORIKI Mayumi; (JP).
HAYAKAWA Akinobu; (JP).
OHARA Shunji; (JP).
SASAKI Taku; (JP).
ITO Kazushi; (JP)
Mandataire : YASUTOMI & ASSOCIATES; 5-36, Miyahara 3-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320003 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-258997 27.11.2012 JP
2013-064759 26.03.2013 JP
2013-118089 04.06.2013 JP
Titre (EN) METHOD FOR MANUFACTURING SOLAR CELL, AND SOLAR CELL
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE, ET CELLULE SOLAIRE
(JA) 太陽電池の製造方法及び太陽電池
Abrégé : front page image
(EN)A purpose of the present invention is to provide a method for manufacturing a solar cell, which is capable of producing a porous inorganic oxide layer that contains less impurities and has high porosity even by low-temperature firing. Another purpose of the present invention is to provide a solar cell which is manufactured using the method for manufacturing a solar cell. The present invention is a method for manufacturing a solar cell, which comprises: a step wherein an inorganic oxide paste containing inorganic oxide fine particles, a binder resin and an organic solvent is applied over a surface of a base, said surface being provided with a conductive layer, thereby forming an inorganic oxide layer on the base; a step wherein the inorganic oxide layer is fired; a step wherein a porous inorganic oxide layer is obtained by irradiating the inorganic oxide layer with an active energy ray or by subjecting the inorganic oxide layer to ozonolysis; and a step wherein a semiconductor is laminated on the porous inorganic oxide layer.
(FR)Un objectif de la présente invention est de fournir un procédé de fabrication d'une cellule solaire, qui est apte à produire une couche d'oxyde inorganique poreuse qui contient moins d'impuretés et possède une porosité élevée même par cuisson à basse température. Un autre objectif de la présente invention est de fournir une cellule solaire qui est fabriquée à l'aide du procédé de fabrication d'une cellule solaire. La présente invention est un procédé de fabrication d'une cellule solaire, qui comprend : une étape dans laquelle une pâte d'oxyde inorganique contenant des particules fines d'oxyde inorganique, une résine liante et un solvant organique est appliquée sur une surface d'une base, ladite surface comprenant une couche conductrice, ce qui forme une couche d'oxyde inorganique sur la base ; une étape dans laquelle la couche d'oxyde inorganique est cuite ; une étape dans laquelle une couche d'oxyde inorganique poreuse est obtenue par irradiation de la couche d'oxyde inorganique avec un rayonnement à énergie active ou par soumission de la couche d'oxyde inorganique à une ozonolyse ; et une étape dans laquelle un semi-conducteur est stratifié sur la couche d'oxyde inorganique poreuse.
(JA)本発明は、低温焼成でも空孔率が高く不純物が少ない多孔質無機酸化物層を製造することが可能な太陽電池の製造方法を提供することを目的とする。また、本発明は、該太陽電池の製造方法を用いて製造された太陽電池を提供することを目的とする。本発明は、表面に導電層が形成された基材上の該導電層が形成された面に、無機酸化物微粒子と、バインダ樹脂と、有機溶媒とを含有する無機酸化物ペーストを塗布し、該基材上に無機酸化物層を形成する工程と、前記無機酸化物層を焼成する工程と、前記無機酸化物層に活性エネルギー線照射又はオゾン分解処理を施し、多孔質無機酸化物層を得る工程と、前記多孔質無機酸化物層上に半導体を積層する工程とを有する太陽電池の製造方法である。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, JP, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)