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1. (WO2014084051) ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR À OXYDE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR À OXYDE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET CAPTEUR D'IMAGES
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/084051    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/080708
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 13.11.2013
CIB :
H01L 21/336 (2006.01), H01L 27/146 (2006.01), H01L 29/786 (2006.01), H01L 51/50 (2006.01)
Déposants : FUJIFILM CORPORATION [JP/JP]; 26-30, Nishiazabu 2-chome, Minato-ku, Tokyo 1068620 (JP)
Inventeurs : MOCHIZUKI, Fumihiko; (JP).
IKADA, Tomotake; (JP).
TANAKA, Atsushi; (JP).
SUZUKI, Masayuki; (JP)
Mandataire : NAKAJIMA, Jun; TAIYO, NAKAJIMA & KATO, Seventh Floor, HK-Shinjuku Bldg., 3-17, Shinjuku 4-chome, Shinjuku-ku, Tokyo 1600022 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-260201 28.11.2012 JP
Titre (EN) OXIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING OXIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, DISPLAY DEVICE AND IMAGE SENSOR
(FR) ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR À OXYDE, PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT SEMICONDUCTEUR À OXYDE, DISPOSITIF D'AFFICHAGE ET CAPTEUR D'IMAGES
(JA) 酸化物半導体素子、酸化物半導体素子の製造方法、表示装置及びイメージセンサ
Abrégé : front page image
(EN)An oxide semiconductor element (10) comprises electrodes (14, 20, 22) that are configured from a metal material, an oxide semiconductor layer (18) that contains at least one element selected from among In, Zn, Ga and Sn, an inorganic insulating layer (26) that is laminated on the oxide semiconductor layer (18), and a protective layer (24) that is configured from the same metal material as the electrodes.
(FR)L'invention concerne un élément semiconducteur (10) à oxyde qui comporte des électrodes (14, 20, 22) constituées d'un matériau métallique, une couche (18) de semiconducteur à oxyde qui contient au moins un élément choisi parmi In, Zn, Ga et Sn, une couche isolante inorganique (26) qui est stratifiée sur la couche (18) de semiconducteur à oxyde et une couche protectrice (24) qui est constituée du même matériau métallique que les électrodes.
(JA) 酸化物半導体素子10は、電極14,20,22の何れかの金属材料で構成された電極と、In,Zn,Ga及びSnから選ばれる少なくとも1種を含む酸化物半導体層18と、酸化物半導体層18に積層され、無機絶縁層26と、電極と同じ金属材料で構成された保護層24と、を有する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)