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1. (WO2014083974) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083974    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/078715
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 23.10.2013
CIB :
H01L 25/04 (2014.01), H01L 23/52 (2006.01), H01L 25/18 (2006.01)
Déposants : NITTO DENKO CORPORATION [JP/JP]; 1-1-2,Shimohozumi,Ibaraki-shi, Osaka 5678680 (JP)
Inventeurs : ISHII, Jun; (JP).
UENDA, Daisuke; (JP).
TOYODA, Eiji; (JP).
SUZUKI, Akira; (JP)
Mandataire : UNIUS PATENT ATTORNEYS OFFICE; SHIN-OSAKA MT Bldg. 1, 13-9, Nishinakajima 5-chome, Yodogawa-ku, Osaka-shi, Osaka 5320011 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-258748 27.11.2012 JP
Titre (EN) SEMICONDUCTOR-DEVICE MANUFACTURING METHOD
(FR) PROCÉDÉ DE FABRICATION DE DISPOSITIF À SEMICONDUCTEUR
(JA) 半導体装置の製造方法
Abrégé : front page image
(EN)A semiconductor-device manufacturing method that includes a step (A) in which a third laminate is prepared by laminating together the following: a first laminate provided with a first adhesive layer on a first mount; a second laminate provided with a second adhesive layer on a second mount; and a thermosetting resin sheet in which a plurality of semiconductor chips are embedded, said thermosetting resin sheet being provided between the first-adhesive-layer-side surface of the first laminate and the second-adhesive-layer-side surface of the second laminate. This semiconductor-device manufacturing method also includes the following: a step (B) in which the thermosetting resin sheet in the third laminate is thermally cured; a step (C) in which, after the thermosetting resin sheet is thermally cured, the first laminate is detached at the interface where the first adhesive layer of the first laminate is bonded to the thermosetting resin sheet; and a step (D) in which wiring is formed on the thermosetting resin sheet after the first laminate has been detached.
(FR)L'invention concerne un procédé de fabrication d'un dispositif à semiconducteur qui inclut une étape (A) dans laquelle un troisième laminat est préparé par stratification des éléments suivants ensemble : un premier laminat fourni avec une première couche d'adhésif sur un premier montage ; un deuxième laminat fourni avec une deuxième couche d'adhésif sur un deuxième montage ; et une feuille de résine thermodurcissable dans laquelle une pluralité de puces à semiconducteur est intégrée, ladite feuille de résine thermodurcissable étant fournie entre la première surface latérale de la couche d'adhésif du premier laminat et la deuxième surface latérale de la couche d'adhésif du deuxième laminat. Ce procédé de fabrication de dispositif à semiconducteur comprend également les éléments suivants : une étape (B) dans laquelle la feuille de résine thermodurcissable du troisième laminat est durcie thermiquement ; une étape (C) dans laquelle, après que la feuille de résine thermodurcissable ait été thermiquement durcie, le premier laminat est détaché à l'interface à laquelle la première couche d'adhésif du premier laminat est collée sur la feuille de résine thermodurcissable ; et une étape (D) dans laquelle le câblage est formé sur la feuille de résine thermodurcissable après que le premier laminat ait été détaché.
(JA) 第1の台座上に第1の接着剤層が設けられた第1の積層体、第2の台座上に第2の接着剤層が設けられた第2の積層体、及び、第1の積層体の第1の接着剤層側の面と第2の積層体の第2の接着剤層側の面との間に設けられ、複数の半導体チップが埋め込まれた熱硬化性樹脂シートが積層された第3の積層体を準備する工程Aと、第3の積層体の熱硬化性樹脂シートを熱硬化させる工程Bと、熱硬化性樹脂シートを熱硬化させた後、熱硬化性樹脂シートと第1の積層体の第1の接着剤層との貼り合わせ面を界面として、第1の積層体を剥離する工程Cと、第1の積層体を剥離した後の熱硬化性樹脂シート上に、配線を形成する工程Dとを含む半導体装置の製造方法。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)