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1. (WO2014083969) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083969    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/078482
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 21.10.2013
CIB :
H01L 29/78 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/06 (2006.01), H01L 29/12 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : HIYOSHI, Toru; (JP).
WADA, Keiji; (JP).
MASUDA, Takeyoshi; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-261341 29.11.2012 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR PRODUCING SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM, ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) First to third doped regions (11-13) of a silicon carbide substrate (10) have parts that are positioned on the flat-topped surface (FT) of a first principal plane (P1). A gate insulating film (21G) is connected to the first to third doped regions (11-13) on the flat-topped surface (FT). A first principal electrode (31) is connected to the third doped region (13) on the flat-topped surface (FT). A second principal electrode (42) is provided on a second principal plane (P2). A sidewall insulating film (21S) covers the sidewall surface (ST) of the first principal plane (P1). The sidewall surface (ST) is inclined at an angle of 50° to 80° with respect to the {000-1} plane. As a result of this configuration, the leak current of the silicon carbide semiconductor device (100) is suppressed.
(FR)La présente invention concerne un substrat en carbure de silicium (10) dont les première, seconde et troisième régions dopées (11-13) sont positionnées sur la surface à sommet plat (FT) d'un premier plan principal (P1). Un film isolant de grille (21G) est connecté aux première, seconde et troisième régions dopées (11-13) sur la surface à sommet plat (FT). Une première électrode principale (31) est connectée à la troisième région dopée (13) sur la surface à sommet plat (FT). Une seconde électrode principale (42) est prévue sur un second plan principal (P2). Un film isolant de paroi latérale (21S) recouvre la surface de paroi latérale (ST) du premier plan principal (P1). La surface de paroi latérale (ST) est inclinée à un angle entre 50° et 80° par rapport au plan {000-1}. Grâce à cette configuration, le courant de fuite du dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium (10) est supprimé.
(JA) 炭化珪素基板(10)の第1~第3の不純物領域(11~13)は第1の主面(P1)の平坦面(FT)上に位置する部分を有する。ゲート絶縁膜(21G)は平坦面(FT)上において第1および第3の不純物領域(11~13)を互いにつないでいる。第1の主電極(31)は平坦面(FT)上において第3の不純物領域(13)に接している。第2の主電極(42)は第2の主面(P2)上に設けられている。側壁絶縁膜(21S)は第1の主面(P1)の側壁面(ST)を覆っている。側壁面(ST)は{000-1}面に対して50度以上80度以下傾斜している。これにより炭化珪素半導体装置(100)のリーク電流を抑制する。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)