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1. (WO2014083943) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
Dernières données bibliographiques dont dispose le Bureau international   

N° de publication :    WO/2014/083943    N° de la demande internationale :    PCT/JP2013/077326
Date de publication : 05.06.2014 Date de dépôt international : 08.10.2013
CIB :
H01L 29/12 (2006.01), H01L 21/336 (2006.01), H01L 29/78 (2006.01)
Déposants : SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD. [JP/JP]; 5-33, Kitahama 4-chome, Chuo-ku, Osaka-shi, Osaka 5410041 (JP)
Inventeurs : HIYOSHI, Toru; (JP).
SAITOH, Yu; (JP)
Mandataire : FUKAMI PATENT OFFICE, P.C.; Nakanoshima Central Tower, 2-7, Nakanoshima 2-chome, Kita-ku, Osaka-shi, Osaka 5300005 (JP)
Données relatives à la priorité :
2012-259551 28.11.2012 JP
Titre (EN) SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME
(FR) DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN CARBURE DE SILICIUM, ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION
(JA) 炭化珪素半導体装置およびその製造方法
Abrégé : front page image
(EN) Provided is a silicon carbide substrate (10) containing a first doped region (17), a well region (13), and a second doped region (14) separated from the first doped region (17) by the well region (13). A silicon dioxide layer (15) is formed so as to come into contact with the first doped region (17) and the well region (14). A gate electrode (27) is formed on the silicon dioxide layer (15). A material (22) containing silicon is formed on the first doped region (17). The material (22) containing silicon is oxidized. The silicon dioxide layer (15) contains a first silicon dioxide region (15a) on a first doped region (17) and a second silicon dioxide region (15b) on the well region (13). The thickness of the first silicon dioxide region (15a) is greater than the thickness (T2) of the second silicon dioxide region (15b). As a result of this configuration, it is possible to provide a silicon carbide semiconductor device and a method for producing same, in which the reduction in drain current is suppressed, and switching characteristics are improved.
(FR)La présente invention concerne un substrat en carbure de silicium (10) contenant une première région dopée (17), une région de puits (13), et une seconde région dopée (14) séparée de la première région dopée (17) par la région de puits (13). Une couche de dioxyde de silicium (15) est formée pour venir en contact avec la première région dopée (17) et la région de puits (14). Une électrode grille (27) est formée sur la couche de dioxyde de silicium (15). Un matériau (22) contenant du silicium est formé sur la première région dopée (17). Le matériau (22) contenant du silicium est oxydé. La couche de dioxyde de silicium (15) contient une première région de dioxyde de silicium (15a) sur une première région dopée (17) et une seconde couche de dioxyde de silicium (15b) sur la région de puits (13). L'épaisseur de la première région de dioxyde de silicium (15a) est supérieure à l'épaisseur (T2) de la seconde région de dioxyde de silicium (15b). Grâce à cette configuration, il est possible de fournir un dispositif à semi-conducteurs en carbure de silicium et un procédé pour la production d'un tel dispositif, dans lequel la réduction en courant de drain est supprimée, des caractéristiques de commutation sont améliorées.
(JA) 第1の不純物領域(17)と、ウェル領域(13)と、ウェル領域(13)によって第1の不純物領域(17)と隔てられた第2の不純物領域(14)とを含む炭化珪素基板(10)が準備される。第1の不純物領域(17)およびウェル領域(14)に接する二酸化珪素層(15)が形成される。二酸化珪素層(15)上にゲート電極(27)が形成される。第1の不純物領域(17)上に珪素を含む材料(22)が形成される。珪素を含む材料(22)が酸化される。二酸化珪素層(15)は、第1の不純物領域(17)上の第1の二酸化珪素領域(15a)およびウェル領域(13)上の第2の二酸化珪素領域(15b)を含む。第1の二酸化珪素領域(15a)の厚み(T1)は、第2の二酸化珪素領域(15b)の厚み(T2)よりも大きい。これにより、ドレイン電流の低減を抑制しつつ、かつスイッチング特性を向上可能な炭化珪素半導体装置およびその製造方法を提供することができる。
États désignés : AE, AG, AL, AM, AO, AT, AU, AZ, BA, BB, BG, BH, BN, BR, BW, BY, BZ, CA, CH, CL, CN, CO, CR, CU, CZ, DE, DK, DM, DO, DZ, EC, EE, EG, ES, FI, GB, GD, GE, GH, GM, GT, HN, HR, HU, ID, IL, IN, IR, IS, KE, KG, KN, KP, KR, KZ, LA, LC, LK, LR, LS, LT, LU, LY, MA, MD, ME, MG, MK, MN, MW, MX, MY, MZ, NA, NG, NI, NO, NZ, OM, PA, PE, PG, PH, PL, PT, QA, RO, RS, RU, RW, SA, SC, SD, SE, SG, SK, SL, SM, ST, SV, SY, TH, TJ, TM, TN, TR, TT, TZ, UA, UG, US, UZ, VC, VN, ZA, ZM, ZW.
Organisation régionale africaine de la propriété intellectuelle (ARIPO) (BW, GH, GM, KE, LR, LS, MW, MZ, NA, RW, SD, SL, SZ, TZ, UG, ZM, ZW)
Office eurasien des brevets (OEAB) (AM, AZ, BY, KG, KZ, RU, TJ, TM)
Office européen des brevets (OEB) (AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR)
Organisation africaine de la propriété intellectuelle (OAPI) (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, GQ, GW, KM, ML, MR, NE, SN, TD, TG).
Langue de publication : japonais (JA)
Langue de dépôt : japonais (JA)